300W 絶縁型DC-DCコンバーター(アップグレード版)

DC 36～75Vと広い入力電圧範囲から、出力電圧DC 12Vで300Wの電力を供給可能な絶縁型DC-DCコンバーターです。東芝最新のMOSFETとデジタルアイソレーターへの置き換えと回路最適化により、同一トポロジーの既存リファレンスデザイン対し全負荷領域で効率向上を達成しました。
回路各部の設計ポイント・使用方法・各部調整方法の解説や、回路図や基板パターンの設計情報を提供しており、皆様の設計にお役立ていただけます。

基板外観
基板外観
TPN1200APL TPN1200APL TPN1200APL TPN1200APL TPN1200APL TPH2R70AR5 TPH2R70AR5 TPH2R70AR5 DCL520C00 DCL520C00

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特長

  • 最新世代素子搭載、回路最適化により既存電源比効率向上
  • 入力電圧範囲 36~75Vと広く、48V系製品に応用可能
  • 変換効率：94.6% (Vin = 48V、100%負荷)
  • 外形サイズ：82mm x 82mm x 24mm
  • 巻き線構造トランスの採用により実応用への展開が容易

仕様

入力電圧 DC 36~75V
出力電圧 DC 12V
出力電力 300W
回路トポロジー フェーズシフトフルブリッジ回路
効率カーブ
効率カーブ

デザインドキュメント

回路の動作概要、設計ポイントの解説など、設計者向けの資料を提供。各タブをクリックして、回路設計・検討にお役立てください。

デザインデータ

EDAツールに読み込んで使用する回路データ、PCBレイアウトデータ、PCB製造に使用するデータを提供。複数のツールベンダーの形式を用意しています。お使いのツールで自由に編集加工可能です。

※1:実際の基盤はCR8000BDにて設計しています。CR8000BDのデータを変換し他のツール用データを作成しています。

※2:CR8000BD上でデータ出力しています。

使用東芝製品

品番 製品 搭載部位・数量 特徴
パワーMOSFET (N-ch 1素子 60V<VDSS≤150V) 1次側･4 N-ch MOSFET, 100 V, 0.0115 Ω@10V, TSON Advance, U-MOSⅨ-H
パワーMOSFET (N-ch 1素子 60V<VDSS≤150V) 2次側･4 N-ch MOSFET, 100 V, 0.0027 Ω@10V, Qrr=55nC@100A/μs, SOP Advance(N), U-MOS11-H
スタンダードデジタルアイソレーター 1次側2次側間制御信号伝達･1 HIGH SPEED DIGITAL ISOLATORS, High-speed, 150 Mbps, 3000 Vrms, 8pin SOIC Narrow body

関連ドキュメント

搭載製品のアプリケーションノートなど、類似回路の設計・検討に役立つ資料を提供。各タブをクリックして活用ください。

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