用於工業設備的N通道功率MOSFET透過使用SOP Advance（E）封裝降低了導通電阻

N-channel Power MOSFETs for Industrial Equipment Reduce On-resistance by Using SOP Advance(E) Package

東芝電子元件及儲存裝置株式會社（「東芝」）推出了兩款採用新型SOP Advance（E）封裝的N通道功率MOSFET：80V的「 TPM1R908QM」和150V的「TPM7R10CQ5」。這些產品適用於資料中心、通訊基地台等工業設備的開關電源。

相較於東芝現有的SOP Advance（N）封裝，新型SOP Advance（E）封裝的封裝電阻降低了約65%，熱阻降低了約15%。與東芝現有的「TPH2R408QM [1] 」產品相比，在相同電壓下，80V的TPM1R908QM的漏源導通電阻降低了約21%，結殼熱阻降低了約15%。同樣，與東芝現有的「TPH9R00CQ5 [1] 」產品相比，在相同電壓下，150V的TPM7R10CQ5的漏源導通電阻降低了約15%，結殼熱阻也降低了約15%。此外，透過降低導通電阻，並透過減小熱阻來抑制溫升，可以改善導通電阻的正溫度特性，從而在開關電源等工業設備中實現更低的損耗和更高的能效。

此外，東芝也提供支援開關電源電路設計的工具。現在，除了可在短時間內驗證電路功能的G0 SPICE模型之外，還提供能夠精確再現瞬態特性的高精度G2 SPICE模型。

東芝將繼續對功率MOSFET產品線進行開發和擴展，以提高電源能源效率，並降低設備的功耗。

註：
[ 1]SOP Advance（N）封裝產品

 

特性

  1. 與東芝現有產品相比，導通電阻R DS(ON)降低約21%
  2. 與東芝現有產品相比，結殼熱阻R th ( ch -c)降低約15%

特性說明

1. 與東芝現有產品相比，導通電阻 RDS(ON) 降低約21%

與東芝現有的「TPH2R408QM」產品相比，在相同電壓下，80V的TPM1R908QM的漏電源導通電阻降低了約21%。同樣，與東芝現有的「TPH9R00CQ5」產品相比，在相同電壓下，150V的TPM7R10CQ5的漏源導通電阻降低了約21%。降低導通電阻可在應用中實現更低損耗和更高能效。

Figure 1. Comparison of drain-source On-resistance (80V)
圖1：漏源導通電阻比較（80V）
Figure 2. Comparison of drain-source On-resistance (150V)
圖2：漏源導通電阻比較（150V）

2.與東芝現有產品相比，結殼熱阻 Rth(ch-c) 降低約15%

Figure 3. Comparison of thermal resistance between channel and case
圖3：結殼熱阻比較

與東芝現有的「TPH2R408QM」產品相比，在相同電壓下，80V的TPM1R908QM的熱阻降低了約15%。同樣，與東芝現有的「TPH9R00CQ5」產品相比，在相同電壓下，150V的TPM7R10CQ5的熱阻降低了約15%。降低熱阻可以抑制溫升，獲得具有正溫度特性的低導通電阻，從而在應用中實現更低損耗和更高能效。

應用

工業設備

  • 資料中心的開關電源
  • 通訊基地台的開關電源

主要規格

（除非另有規定，T a ＝25°C）

裝置型號 TPM1R908QM TPM7R10CQ5
絕對最大額定值 漏源電壓 VDSS (V) 80 150
漏極電流 (DC) ID (A) Tc=25°C 238 120
結溫 Tch (°C) 175 175
熱特性 結殼熱阻 Rth(ch-c) (°C/W) Tc=25°C 最大值 0.6 0.6
電氣特性 漏源導通電阻
RDS(ON) (mΩ)		 VGS=10V 最大值 1.9 7.1
VGS=8V 最大值 - 8.7
VGS=6V 最大值 2.8 -
閘極電荷總量 Qg (nC) VGS=10V 典型值 108 57
閘極開關電荷 Qsw (nC) 典型值 35 18
輸出電荷 Qoss (nC) 典型值. 111 106
輸入電容 Ciss (pF) 典型值 7360 4390
反向恢復時間 trr (ns) 典型值 57 45
反向恢復電荷 Qrr (nC) 典型值 71 43
封裝 名稱 SOP Advance(E)
尺寸 (mm) 典型值 4.9×6.1
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