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当社は、データセンターや通信基地局などの産業用機器向けスイッチング電源に適した製品として、新パッケージSOP Advance(E)を採用した80V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPM1R908QM」、150V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPM7R10CQ5」を製品化しました。
SOP Advance(E)は、当社従来パッケージSOP Advance(N)と比較して、パッケージ抵抗を約65%、熱抵抗を約15%低減しました。80V耐圧品のTPM1R908QMは同耐圧の当社従来製品TPH2R408QM[注1]と比較し、ドレイン・ソース間オン抵抗を約21%低減し、チャネル・ケース間熱抵抗を15%低減しています。同様に150V耐圧品のTPM7R10CQ5は同耐圧の当社従来製品TPH9R00CQ5[注1]と比較し、ドレイン・ソース間オン抵抗を約21%低減し、チャネル・ケース間熱抵抗を約15%低減しています。さらに、オン抵抗そのものを低減するとともに、熱抵抗低減により温度上昇が抑えられることで、正の温度特性を持つオン抵抗も低減できることになり、産業用機器のスイッチング電源などの低損失化、高効率化に貢献します。
また回路設計のサポートツールとして、短時間で回路動作が検証できるSPICEモデル (G0モデル) に加え、パワーデバイスの過渡特性をより正確にシミュレーションできる高精度SPICEモデル (G2モデル) も提供します。
当社は今後も、電源の効率を高めることができるパワーMOSFETのラインアップ拡充を推進し、機器の低消費電力化に貢献します。
[注1] SOP Advance(N)パッケージ製品
80V耐圧品のTPM1R908QMは同耐圧の当社従来製品TPH2R408QMと比較し、ドレイン・ソース間オン抵抗を約21%低減しています。同様に150V耐圧品のTPM7R10CQ5は同耐圧の当社従来製品TPH9R00CQ5と比較し、ドレイン・ソース間オン抵抗を約21%低減しています。オン抵抗の低減により、応用機器の低損失化、高効率化に貢献します。
80V耐圧品のTPM1R908QMは同耐圧の当社従来製品TPH2R408QMと比較し、熱抵抗を約15%低減しています。同様に150V耐圧品のTPM7R10CQ5は同耐圧の当社従来製品TPH9R00CQ5と比較し、熱抵抗を約15%低減しています。熱抵抗低減により温度上昇が抑えられることで、正の温度特性を持つオン抵抗も低減できることになり、応用機器の低損失化、高効率化に貢献します。
産業用機器
(特に指定のない限り、Ta=25°C)
品番 | TPM1R908QM | TPM7R10CQ5 | |||
---|---|---|---|---|---|
絶対最大定格 | ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V) | 80 | 150 | ||
ドレイン電流 (DC) ID (A) | Tc=25°C | 238 | 120 | ||
チャネル温度 Tch (°C) | 175 | 175 | |||
熱抵抗特性 | チャネル・ケース間熱抵抗 Rth(ch-c) (°C/W) |
Tc=25°C | Max | 0.6 | 0.6 |
電気的特性 | ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON) (mΩ) |
VGS=10V | Max | 1.9 | 7.1 |
VGS=8V | Max | - | 8.7 | ||
VGS=6V | Max | 2.8 | - | ||
ゲート入力電荷量 Qg (nC) | VGS=10V | Typ. | 108 | 57 | |
ゲートスイッチ電荷量 Qsw (nC) | Typ. | 35 | 18 | ||
出力電荷量 Qoss (nC) | Typ. | 111 | 106 | ||
入力容量 Ciss (pF) | Typ. | 7360 | 4390 | ||
逆回復時間 trr (ns) | Typ. | 57 | 45 | ||
逆回復電荷 Qrr (nC) | Typ. | 71 | 43 | ||
パッケージ | 名称 | SOP Advance(E) | |||
サイズ (mm) | Typ. | 4.9×6.1 | |||
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