600V Super Junction MOSFET N通道DTMOS Ⅵ系列「TK024N60Z1」- 提升電源效率

東芝電子元件及儲存裝置株式會社（簡稱「東芝」）現已推出一款N通道功率MOSFET「TK024N60Z1」。該產品基於DTMOS Ⅵ 600 V系列的技術，並且具有Super Junction結構。此元件適用於資料中心的伺服器、工業設備的電源供應器（SMPS）以及太陽能的相關應用。

近年來，為了提高電源電路的效率，對低導通電阻產品的需求不斷增加。為滿足這種需求，東芝專門開發了該產品。 TK024N60Z1實現了0.024 Ω（最大值）的導通電阻，是DTMOS Ⅵ 600 V系列中導通電阻最低的產品^[1] ，並降低了導通損耗。提高了電源效率，減少了熱能的產生。
此外，本產品採用TO-247封裝，可用於多種散熱方式，提高散熱性能。

透過優化閘極設計和技術， DTMOS Ⅵ 600 V系列（包括新產品），與東芝傳統DTMOSIV-H系列產品相比，在相同VGS電壓，單位面積的導通電阻值降低了約13 %，導通電阻與閘-汲極電荷乘積（MOSFET性能的品質因數）降低了約52%。此外，東芝還提供模擬用模型，用於支援電源供應器（SMPS）的電路設計。除了可以在短時間內驗證電路功能的G0 SPICE模型外，現在還提供可以精準重現瞬態特性的高精度G2 SPICE模型。

東芝將持續擴大DTMOS Ⅵ系列產品線，並透過降低電源供應器（SMPS）的功率損耗來達成節能需求。

1. DTMOS Ⅵ系列的最小導通電阻（0.024 Ω（最大）（V _GS ＝10 V））
2. 低R _DS(ON) × Q _gd （導通電阻與閘-汲極電荷乘積）支援電源供應用（SMPS）的高效率

在DTMOS Ⅵ系列中，TK024N60Z1實現了最低的導通電阻（0.024 Ω（最大值）（V _GS ＝10 V））， 將導通損耗最小化，從而幫助提高電源效率。

透過優化閘極設計和技術， DTMOS Ⅵ 600 V系列（包括新產品），與東芝傳統DTMOSIV-H系列產品相比，在相同VGS電壓，單位面積的導通電阻值降低了約13 %，導通電阻與閘-汲極電荷乘積的乘積（MOSFET性能的品質因數）降低了約52%。
這意味著DTMOS Ⅵ系列在導通損耗與切換損耗之間實現了更佳的權衡，有助於提高電源供應器（SMPS）的效率。

• 電源供應器（資料中心伺服器等）
• 太陽能的相關應用
• 不間斷電源（UPS）

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TK024N60Z1

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MOSFETs

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