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当社は、データセンター向けサーバーや産業用機器のスイッチング電源、太陽光発電パワーコンディショナーなどに適した、スーパージャンクション構造のDTMOSⅥ (ディーティーモスシックス) 600Vシリーズのプロセスを採用したNチャネルパワーMOSFET「TK024N60Z1」を製品化しました。
近年、電源回路の効率を高めるために低オン抵抗製品の需要が増加しており、そのニーズに応えるために本製品を開発しました。TK024N60Z1はドレイン・ソース間オン抵抗0.024Ω (max) を実現し、DTMOSⅥ 600Vシリーズで最小のオン抵抗[注1]となり、導通損失を低減できます。これにより、電源などを高効率化し、発熱を抑えます。
なお、パッケージは汎用性が高く、放熱性の良いTO-247を採用しています。
今回の新製品を含むDTMOSⅥ 600Vシリーズは、ゲートデザインおよびプロセスの最適化により、同耐圧の当社従来世代DTMOSⅣ-H (ディーティーモスフォーエイチ) シリーズと比べて、単位面積あたりのドレイン・ソース間オン抵抗を約13%低減し、性能指数の「ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量」を約52%低減しています。また回路設計のサポートツールとして、短時間で回路動作が検証できるSPICEモデル (G0モデル) に加え、パワーデバイスの過渡特性をより正確にシミュレーションできる高精度SPICEモデル (G2モデル) も提供します。
当社は、今後もDTMOSⅥシリーズのラインアップを拡充します。これにより、電源などの電力損失を低減し、省エネルギー化に貢献します。
[注1] 2025年1月時点、当社調べ。
TK024N60Z1は同シリーズでは最小のオン抵抗 (0.024Ω (max) (VGS=10V)) を実現したことで導通損失を最小限に抑え、電源の高効率化に貢献します。
600V耐圧のDTMOSⅥシリーズは、ゲートデザインおよびプロセスの最適化により、同耐圧の当社既存世代DTMOSⅣ-Hシリーズと比べて、単位面積あたりのドレイン・ソース間オン抵抗を約13%低減し、性能指数の「ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量」を約52%低減しています。これにより、DTMOSⅥシリーズは、低導通損失及び低スイッチング損失の両立を実現し、スイッチング電源の高効率化に貢献します。
[注2] 当社実測値
(特に指定のない限り、Ta=25°C)
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