採用可潤濕側翼結構的小封裝車載MOSFET

Automotive MOSFETs with Small Package Featuring Wettable Flank Structure

東芝電子元件及儲存裝置株式會社（簡稱「東芝」）現已推出五款車用MOSFET產品，這些產品透過使用具有可潤濕側翼結構[1]的小型DFN2020B（WF）封裝，將節省空間和高可安裝性結合起來。其中，「XSM6K361NW、XSM6K519NW、XSM6K376NW和XSM6K336NW」為N通道MOSFET，「XSM6J372NW」為P通道MOSFET。

與東芝現有的UDFN6B封裝相比，DFN2020B(WF)封裝採用可潤濕側翼結構，提高了焊錫潤濕性。此外，透過提高焊錫弧角[2]的能見度，可在全自動外觀檢測（AVI）設備中確認可焊性，有助於在生產線上進行全自動檢測。另外，在焊點安裝剪切強度[3]測試中，DFN2020B(WF)封裝的剪切強度比東芝現有的SOT-23F [5]封裝約高出23% [4] ，有助於提高設備的可靠性。
DFN2020B(WF)的封裝尺寸為2.0×2.0×0.6mm（典型值），與SOT-23F封裝相比，貼片面積和封裝高度分別減少了約43%和25%，有助於實現設備小型化。此外，這款封裝的特點是小型化和高耗散功耗。新產品之一XSM6K361NW的最大額定耗散功率為1.84W [6] 。

新產品符合AEC-Q101，即汽車產業標準的可靠性測試規範。專門針對汽車產業的國際品質管理系統標準－IATF16949標準的生產件核准程序（PPAP） [7]現已發布[8] 。可在各種車載應用中使用這些產品，例如ECU [9]中的DC-DC轉換器和LED頭燈負載開關。

東芝將繼續擴大適合車載應用並採用可潤濕側翼結構封裝的MOSFET和2in1 MOSFET產品的產品線。

註：
[1]封裝側面引腳的形狀。
[2]焊錫弧角是指印刷電路板上貼裝的元件的焊接部分。
[3]貼片剪切強度是評估電子元件和半導體封裝的接點強度時所採用的測試方法之一。
[4]東芝透過比較實際測量值的平均值後所得的結果。
[5]SSM3K361R等現有產品的封裝尺寸：2.4×2.9×0.8mm（典型值）
[6]貼裝在25.4×25.4×1.6mm的銅片上的裝置：645mm 2 ，FR-4玻璃纖維環氧樹脂板
[7]PPAP產件核准方案的核准方案。
[8]請與東芝銷售代表聯繫，以了解更多詳情。
[9]ECU ：電子控制單元（用於控制車輛的各種功能的一個電子裝置）的縮寫。

Figure 1. Comparison of power dissipation in automotive MOSFET packages
圖1：車載MOSFET封裝的耗散功率比較圖

特性

  1. 採用可潤濕側翼結構的封裝可實現電路板貼片的全自動外觀檢測（AVI）
  2. 小型高耗散功率封裝

特性說明

1.採用可潤濕側翼結構的封裝可實現電路板貼片的全自動外觀檢測（AVI）

Figure 2. Features of the wettable flank structure DFN2020B(WF) package
圖2：可潤濕側翼結構封裝

與東芝現有的UDFN6B封裝相比，透過採用可潤濕側翼結構，提高了焊錫弧角的能見度。因此，使用全自動外觀檢測（AVI）設備檢測焊錫接點時，有助於在生產線上進行全自動檢測。

2.小型高耗散功率封裝

Figure 3. External view of the DFN2020B(WF) package
圖3：DFN2020B(WF)封裝的外觀圖

與SOT-23F封裝相比，DFN2020B(WF)封裝的耗散功率更高。新產品之一XSM6K361NW的最大額定耗散功率為1.84W [6] ，是東芝現有產品SSM3K361R（採用SOT-23F封裝）的最大額定耗散功率1.2W [6]的約1.5倍。因此，新產品有助於開發各類車用設備，例如，適用於ECU且具有尺寸緊湊要求的DC-DC轉換器、高功耗MOSFET以及LED頭燈負載開關。

應用

車載設備

  • 適用於ECU的DC-DC轉換器、LED頭燈負載開關等

主要規格

(Ta=25°C)

裝置型號 XSM6K361NW XSM6K519NW XSM6K376NW XSM6K336NW XSM6J372NW
極性 N溝道 P溝道
封裝 名稱 DFN2020B(WF)
尺寸 (mm) 典型值 2.0×2.0×0.6
絕對最大額 漏源電壓
VDSS (V)		 100 40 30 30 -30
閘極-源極電壓
VGSS (V)		 +20/-20 +20/-20 +12/-8 +20/-20 -12/+6
漏極電流 (DC)
ID (A)		 3.5 8.0 4.0 3.0 -6.0
功耗
PD[6] (W)		 1.84 1.84 1.53 1.53 1.53
電氣特性 漏源導通電阻
RDS(ON)
(mΩ)		 VGS=|10V| 最大值 69 17.8 - 95 42
VGS=|4.5V| 最大值 92 36.3 56 140 50
VGS=|2.5V| 最大值 - - 72 - 72
VGS=|1.8V| 最大值 - - 109 - 144
輸入電容 Ciss (pF) 典型值 430 797 200 126 560
閘極電荷總量 Qg (nC) 典型值 3.2 6.5 2.2 1.7 8.2
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