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当社は、ウェッタブルフランク[注1]構造の小型DFN2020B(WF)パッケージを採用し、省スペースと高い実装性を実現した車載向けMOSFETを5品種製品化しました。NチャネルMOSFETの「XSM6K361NW、XSM6K519NW、XSM6K376NW、XSM6K336NW」と、PチャネルMOSFETの「XSM6J372NW」です。
DFN2020B(WF)パッケージは、ウェッタブルフランク構造を採用しているため、当社既存パッケージのUDFN6Bに比べてはんだ濡れ性が改善しました。また、はんだフィレット[注2]の視認性向上により自動外観検査 (AVI[注3]) 装置でのはんだ付き性確認が可能で、製造ラインでの検査自動化に貢献します。さらに、はんだ接合部の実装シェアー強度[注4]試験では、当社既存パッケージのSOT-23F[注5]と比較し、約23%[注6]高い強度となっており、機器の信頼性向上に貢献します。
DFN2020B(WF)のパッケージサイズは2.0×2.0×0.6mm (typ.) で、SOT-23Fパッケージと比べて、実装面積を約43%削減、パッケージ高さを約25%削減でき、機器の小型化に貢献します。さらに、小型パッケージで高許容損失となっており、新製品XSM6K361NWの許容損失の最大定格は1.84W[注7]を実現しています。
新製品は、車載業界標準の信頼性試験規格であるAEC-Q101に適合し、かつ自動車産業に特化した品質マネジメントシステムの国際規格であるIATF16949のPPAP[注8]提供が可能[注9]で、ECU[注10]のDC-DCコンバーターやLEDヘッドランプのロードスイッチなどのさまざまな車載用途へ使用いただけます。
今後も当社は、車載向けにウェッタブルフランク構造採用パッケージのMOSFET製品や2in1 MOSFET製品などのラインアップを拡充していきます。
[注1] パッケージのリード側面の形状
[注2] はんだフィレットとは、プリント基板に実装された部品の、はんだが盛られた部分を指します
[注3] AVI: Automatic Visual Inspection
[注4] 実装シェアー強度とは、電子部品や半導体パッケージの接合部の強度を評価するための試験方法の1つです
[注5] 当社既存製品 SSM3K361R など、パッケージサイズ: 2.4×2.9×0.8mm (typ.)
[注6] 当社実測の平均値で比較
[注7] ガラスエポキシ基板 (FR–4 25.4×25.4×1.6mm、Cu pad: 645mm2) 基板実装時
[注8] PPAP: Production Part Approval Processの略で、量産部品承認プロセスのこと
[注9] 詳しくは当社営業担当へお問い合わせください
[注10] ECU: Electronic Control Unitの略で、車のさまざまな機能を制御するための電子装置のこと
ウェッタブルフランク構造を採用しているため、当社既存パッケージのUDFN6Bに比べて、はんだフィレットの視認性が向上しています。これにより、自動外観検査 (AVI) 装置でのはんだ付き性確認が可能で、製造ラインでの検査自動化に貢献します。
DFN2020B(WF)のパッケージは、SOT-23Fパッケージと比較し高許容損失となっています。新製品XSM6K361NWの許容損失の最大定格は1.84W[注7]で、SOT-23Fパッケージ採用の当社既存製品SSM3K361Rの1.2W[注7]に対して、約1.5倍に向上しています。そのため、小型かつ高許容損失のMOSFETが求められるECUのDC-DCコンバーターやLEDヘッドランプのロードスイッチなどのさまざまな車載用機器の開発に貢献します。
車載用機器
(Ta=25°C)
| 品番 | XSM6K361NW | XSM6K519NW | XSM6K376NW | XSM6K336NW | XSM6J372NW | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 極性 | Nチャネル | Pチャネル | ||||||
| パッケージ | 名称 | DFN2020B(WF) | ||||||
| サイズ (mm) | Typ. | 2.0×2.0×0.6 | ||||||
| 絶対 最大 定格 |
ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V) |
100 | 40 | 30 | 30 | -30 | ||
| ゲート・ソース間電圧 VGSS (V) |
+20/-20 | +20/-20 | +12/-8 | +20/-20 | -12/+6 | |||
| ドレイン電流 (DC) ID (A) |
3.5 | 8.0 | 4.0 | 3.0 | -6.0 | |||
| 許容損失 PD[注7] (W) | 1.84 | 1.84 | 1.53 | 1.53 | 1.53 | |||
| 電気的 特性 |
ドレイン・ソース間 オン抵抗 RDS(ON) (mΩ) |
VGS=|10V| | Max | 69 | 17.8 | - | 95 | 42 |
| VGS=|4.5V| | Max | 92 | 36.3 | 56 | 140 | 50 | ||
| VGS=|2.5V| | Max | - | - | 72 | - | 72 | ||
| VGS=|1.8V| | Max | - | - | 109 | - | 144 | ||
| 入力容量 Ciss (pF) | Typ. | 430 | 797 | 200 | 126 | 560 | ||
| ゲート入力電荷量 Qg (nC) | Typ. | 3.2 | 6.5 | 2.2 | 1.7 | 8.2 | ||
| 在庫検索&Web少量購入 | ![]() |
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新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
XSM6K361NW
XSM6K519NW
XSM6K376NW
XSM6K336NW
XSM6J372NW
DFN2020B(WF)パッケージの紹介動画は下記リンクに掲載しています。
DFN2020B(WF)パッケージ
当社の車載MOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。
車載MOSFET
各種アプリケーションへの応用例は下記ページをご覧ください。
LEDヘッドランプ
IVI (車載インフォテインメント)
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