Parallel Operation of MOSFET(TK62N60X) Application Circuit

This reference design provides example of simulation models/circuit and results for parallel operation using 600V MOSFET to increase output power.

Device and prastic inductance of PCB trace
Simulation circuit

說明

  • Description of the MOSFET behavior on parallel operation by circuit simulation with TK62N60X(TO-247 package), a 600V DTMOSIV-H product, suitable for PFC circuit and primary side for AC-DC power supply.
  • Showing the point of note for parallel operation and offering the solution to achieve more output power.

設計文件

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設計數據

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使用東芝項目/產品

器件型號 器件目錄 使用部位・數量 說明
Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) N-ch MOSFET, 600 V, 0.04 Ω@10V, TO-247, DTMOSⅣ-H

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