MOSFET並列駆動(TK62N60X)応用回路

600V系MOSFETを例にとり、電源等の応用における出力電力増大に向けた並列動作時の留意点をシミュレーション回路と動作波形を基に解説します。

素子とパターン配線インダクタンスの関係
シミュレーション回路

特長

  • 回路シミュレーションにより並列動作時のMOSFET特性を解析
  • デバイス : TK62N60X (TO 247パッケージ)、600V DTMOSIV Hシリーズ
  • PFC回路およびAC DC電源の一次側用途に最適
  • より高出力化を実現するソリューションを提供

デザインドキュメント

回路の動作概要、設計ポイントの解説など、設計者向けの資料を提供。各タブをクリックして、回路設計・検討にお役立てください。

デザインデータ

EDAツールに読み込んで使用する回路データ、PCBレイアウトデータ、PCB製造に使用するデータを提供。複数のツールベンダーの形式を用意しています。お使いのツールで自由に編集加工可能です。

使用東芝製品

品番 製品 搭載部位・数量 特徴
パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) N-ch MOSFET, 600 V, 0.04 Ω@10V, TO-247, DTMOSⅣ-H

関連ドキュメント

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