採用貼片式SiC MOSFET的3kW伺服器及通訊電源

近年來，資料中心規模不斷擴大，功率密度不斷提升。因此，伺服器電源必須更有效率、更強大、更節省空間，提高功率密度至關重要。我們採用最新的貼片式SiC元件，將電源從主機板分離，並將其做為子板實現，從而實現了高功率密度。 除了伺服器應用外，該解決方案還適用於通訊系統和其他使用48V的應用。 本參考設計提供了電路各部分的設計要點、使用和調整方法的說明，以及電路圖、電路板佈局等設計資料，可為您的設計提供幫助。

電路板外觀
TW092V65C TW092V65C TW092V65C TRS12V65H TRS12V65H TRS12V65H TW027U65C TW027U65C TW027U65C TW027U65C TW027U65C TPW2900ENH TPW2900ENH TPM1R908QM TPW2900ENH TPM1R908QM DCL540C01

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特性

  • 完整的功率元件（ SiC MOSFET和SiC二極體）及數位式隔離器
  • 採用貼片式元件實現高功率密度（與我們現有的設計相比提高了34%）。
  • 總效率94.8%(Vin＝230V,100%負載)

說明

輸入電壓 AC 180 至 264V
輸出電壓 DC 50V
輸出功率 3kW
電路拓撲結構 半無橋式PFC，移相全橋＋同步整流，輸出ORing電路
效率曲線

設計文件

供設計人員使用的材料，例如電路操作概述和設計注意事項的解釋。請點擊每個選項以查看內容。

設計數據

提供可載入到EDA工具中的電路資料、PCB佈局資料以及PCB製造中使用的資料。來自多個工具供應商的可用格式。您可以使用喜歡的工具來自由的編輯它。

使用東芝項目/產品

器件型號 器件目錄 使用部位・數量 說明
功率SiC MOSFET PFC 電路・2 N通道 SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ω(典型值)@18 V, DFN 8×8, 第3世代。
SiC肖特基二極體 PFC 電路・2 650 V/12 A 蕭特基二極體， DFN8×8
功率SiC MOSFET PSFB 電路・4 N通道 SiC MOSFET, 650 V, 0.027 Ω(典型值)@18 V, TOLL, 第3世代。
功率MOSFET (N通道 150V<VDSS≤250V) PSFB 電路・12 N通道 MOSFET, 200 V, 0.029 Ω@10V, DSOP Advance, U-MOSⅧ-H
功率 MOSFET (N通道 single 60V<VDSS≤150V) ORing 電路・6 N通道 MOSFET, 80 V, 0.0019 Ω@10V, SOP Advance(E), U-MOSⅩ-H
標準數位式隔離器 PSFB 電路・1 高速四通道數位式隔離器，高速，150Mbps，5000Vrms，16接腳SOIC寬體

相關文件

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應用

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