SiC MOSFET （ TOLL封裝）半橋板

設計採用半橋式電路，搭載了兩顆我們最新的SiC MOSFET，能夠簡易評估近年來需求不斷增長的SiC MOSFET。 它提供了各電路模組的關鍵設計要點、使用說明、調整方法，以及原理圖和PCB佈局數據等詳細資訊，為您提供設計支援。

電路板外觀
電路板外觀
TW027U65C /info/lookup.jsp?pid=TW048U65C

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特性

  • 配備我們最新一代表面封裝SiC MOSFET
  • 支援採用半橋拓撲架構的DC-DC轉換器操作
  • 在升壓轉換器工作時，最高效率可達99.5%（輸入電壓Vin＝325V，輸出功率3kW）

說明

  • 電路板名稱：TW027U65C安裝板／TW048U65C安裝板
  • 支援採用半橋拓撲架構的DC-DC轉換器操作
  • • 基板結構：FR-4，4層板（貫孔），厚度1.6mm，銅厚度155μm（外層），140μm（內層）
  • 功能：米勒箝位（高側/低側），用於電路板溫度測量的熱敏電阻
效率曲線
效率曲線

設計文件

供設計人員使用的材料，例如電路操作概述和設計注意事項的解釋。請點擊每個選項以查看內容。

設計數據

提供可載入到EDA工具中的電路資料、PCB佈局資料以及PCB製造中使用的資料。來自多個工具供應商的可用格式。您可以使用喜歡的工具來自由的編輯它。

*1:Actual PCB was designed on CR8000BD. The other files were made from CR8000BD file.

*2:The data was generated on CR8000BD.

使用東芝項目/產品

器件型號 器件目錄 使用部位・數量 說明
Power SiC MOSFETs 半橋・2 N通道 SiC MOSFET, 650 V, 0.027 Ω(典型值)@18 V, TOLL, 第三代
Power SiC MOSFETs 半橋・2 N通道 SiC MOSFET, 650 V, 0.048 Ω(典型值)@18 V, TOLL, 第三代

相關文件

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