SiC MOSFET (TOLL Package) ハーフブリッジボード

近年需要が高まっているSiC MOSFETを手軽に評価を行うための当社最新SiC MOSFETがハーフブリッジ形式に２つ搭載された基板です。
回路各部の設計ポイント・使用方法・各部調整方法の解説や、回路図や基板パターンの設計情報を提供しており、皆様の設計にお役立ていただけます。

基板外観
基板外観
TW027U65C /info/lookup.jsp?pid=TW048U65C

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特長

  • 当社最新世代面実装SiC MOSFET搭載
  • ハーフブリッジ形式によりDC-DCコンバーターとして動作可能
  • 昇圧コンバーター動作時最大効率99.5%を実現 (DC325V入力、3kW出力時)

概要

  • 基板名： TW027U65C搭載基板 / TW048U65C搭載基板
  • 搭載デバイス：TW027U65C / TW048U65C
  • 基板層構成：FR-4, 4層 (貫通ビア)、 t1.6mm、Cu厚155μm (表層)、 140μm (内層)
  • 機能：ミラークランプ機能 (ハイサイド/ローサイド)、基板温度測定用サーミスター
効率カーブ
効率カーブ

デザインドキュメント

回路の動作概要、設計ポイントの解説など、設計者向けの資料を提供。各タブをクリックして、回路設計・検討にお役立てください。

デザインデータ

EDAツールに読み込んで使用する回路データ、PCBレイアウトデータ、PCB製造に使用するデータを提供。複数のツールベンダーの形式を用意しています。お使いのツールで自由に編集加工可能です。

※1:実際の基盤はCR8000BDにて設計しています。CR8000BDのデータを変換し他のツール用データを作成しています。

※2:CR8000BD上でデータ出力しています。

使用東芝製品

品番 製品 搭載部位・数量 特徴
パワー SiC MOSFET ハーフブリッジ・2 N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.027 Ω(typ.)@18 V, TOLL, 3rd Gen.
パワー SiC MOSFET ハーフブリッジ・2 N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.048 Ω(typ.)@18 V, TOLL, 3rd Gen.

関連ドキュメント

搭載製品のアプリケーションノートなど、類似回路の設計・検討に役立つ資料を提供。各タブをクリックして活用ください。

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