SiC MOSFET （ TOLL封裝）半橋板

設計採用半橋式電路，搭載了兩顆我們最新的SiC MOSFET，能夠簡易評估近年來需求不斷增長的SiC MOSFET。 它提供了各電路模組的關鍵設計要點、使用說明、調整方法，以及原理圖和PCB佈局數據等詳細資訊，為您提供設計支援。

電路板外觀
電路板外觀
TW027U65C /info/lookup.jsp?pid=TW048U65C

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特性

  • 配備我們最新一代表面封裝SiC MOSFET
  • 支援採用半橋拓撲架構的DC-DC轉換器操作
  • 在升壓轉換器工作時，最高效率可達99.5%（輸入電壓Vin＝325V，輸出功率3kW）

說明

  • 電路板名稱：TW027U65C安裝板／TW048U65C安裝板
  • 支援採用半橋拓撲架構的DC-DC轉換器操作
  • • 基板結構：FR-4，4層板（貫孔），厚度1.6mm，銅厚度155μm（外層），140μm（內層）
  • 功能：米勒箝位（高側/低側），用於電路板溫度測量的熱敏電阻
效率曲線
效率曲線

Design Documents

Materials for designers, such as an overview of circuit operation and explanations of design considerations. Please click on each tab to view the contents.

Design Data

Provides circuit data that can be loaded into EDA tools, PCB layout data, and data used in PCB manufacturing. Available in formats from multiple tool vendors. You can freely edit it with your preferred tool.

*1:Actual PCB was designed on CR8000BD. The other files were made from CR8000BD file.

*2:The data was generated on CR8000BD.

使用東芝項目/產品

器件型號 器件目錄 使用部位・數量 說明
Power SiC MOSFETs 半橋・2 N通道 SiC MOSFET, 650 V, 0.027 Ω(典型值)@18 V, TOLL, 第三代
Power SiC MOSFETs 半橋・2 N通道 SiC MOSFET, 650 V, 0.048 Ω(典型值)@18 V, TOLL, 第三代

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