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エネルギー利用率の向上に寄与する半導体デバイスの歩みと
今後の動向 詳細

エネルギー利用率の向上に寄与する半導体デバイスの歩みと今後の動向

電力消費量の増大と二酸化炭素(CO2)排出量の増加が、地球規模の課題となっている。電力需要の増加に対応しつつ省エネ化を図ることが求められており、発電から消費に至るまでの全過程で電気エネルギー利用率を向上させることが有効である。
  *「東芝レビュー 72巻5号(2017年11月)」特集1から転載

モバイル機器の高機能化を実現する
高性能LDOレギュレーター 詳細

モバイル機器の高機能化を実現する高性能LDOレギュレーター

携帯電話市場は、年間出荷台数が2017年度には18億台を突破すると予測され、スマートフォンは日常生活に欠かせない身近な機器となっている。その原動力は、従来のフィーチャーフォンでは実現し得なかった急速に進む高機能化である。
  *「東芝レビュー 72巻5号(2017年11月)」特集1から転載

HVDCに適したスイッチングデバイスPPI 詳細

HVDCに適したスイッチングデバイスPPI

地球温暖化防止に向け、パワーエレクトロニクス分野の省電力化が求められている。電力送配電分野では、高圧直流送電(HVDC:High Voltage Direct Current Transmission)が、大容量・長距離送電の省電力化に適した方式として、世界中で実用化が進んでいる。 

 *「東芝レビュー 72巻5号(2017年11月)」特集1から転載

適用分野が拡大する新材料パワーデバイスの進化 詳細

適用分野が拡大する新材料パワーデバイスの進化

SiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)などのワイドバンドギャップ半導体は,エネルギー効率で飛躍的な改善が見込めることから新しいパワーデバイス材料として期待されている。

東芝デバイス&ストレージ(株)は多様なSiCデバイスを製品化するとともに、GaNデバイスでは擬似ノーマリーオフタイプとMOS(金属酸化膜半導体)タイプの素子開発を進めている。

 *「東芝レビュー 72巻5号(2017年11月)」特集1から転載

クライアントSSD 向けの省スペースで低消費電力な
パワーマネジメントIC 詳細

クライアントSSD 向けの省スペースで低消費電力なパワーマネジメントIC

SSD(ソリッドステートドライブ)は、インターフェースの高速化や記憶容量の向上により消費電力が増える方向にあるが、国際的な省エネの流れを受けて消費電力の削減が求められている。 

 *「東芝レビュー 72巻5号(2017年11月)」特集1から転載

モーター制御機能とパワーマネジメント機能を併せ持つIC PMMCD 詳細

モーター制御機能とパワーマネジメント機能を併せ持つIC PMMCD

OA機器や家電、車載機器などに使用されるモーターコントロールドライバー(MCD)は、モーター制御以外に、機器内のほかのデバイスに異なる電圧の電源を供給し、消費電力を管理するパワーマネジメント機能が求められている。

 *「東芝レビュー 72巻5号(2017年11月)」特集1から転載

広負荷電力範囲で高い変換効率を実現したIoT機器向けSIMO型DC-DCコンバーター 詳細

高負荷電力範囲で高い変換効率を実現したIoT機器向けSIMO型DC-DCコンバーター

あらゆるモノがネットワークにつながるIoT(Internet of Things)分野で用いられる無線センサーノードは,データ通信のため間欠的に数十mWのアクティブモードで動作するが,大部分の時間は1 mW以下のスタンバイモードで待機している。そのため,IoT 機器向けSIMO(Single-Inductor Multiple-Output)型DC(直流)-DCコンバーターには,広い負荷電力範囲にわたって高い変換効率が求められている。  

 *「東芝レビュー 72巻5号(2017年11月)」特集1から転載

Data Selection and De-noising Based on Reliability for Long-Range and High-Pixel Resolution LiDAR 詳細

Data Selection and De-noising Based on Reliability for Long-Range and High-Pixel Resolution LiDAR

レーザ照射により離れた物体までの距離情報を3D画像として得る技術「LiDAR」において、長距離測定の信頼性を向上させる計測ロジック技術を開発しました

K. Tanabe, H. Kubota, A. Sai and N. Matsumoto, "Data selection and de-noising based on reliability for long-range and high-pixel resolution LiDAR," 2018 IEEE Symposium in Low-Power and High-Speed Chips (COOL CHIPS), Yokohama, 2018, pp. 1-3. doi: 10.1109/CoolChips.2018.8373079

A 20ch TDC/ADC hybrid SoC for 240×96-pixel 10%-reflection <0.125%-precision 200m-range imaging LiDAR with smart accumulation technique 詳細

A 20ch TDC/ADC hybrid SoC for 240×96-pixel 10%-reflection <0.125%-precision 200m-range imaging LiDAR with smart accumulation technique

世界最高となる200mの長距離測定性能と高解像を実現する、車載用LiDAR向けの計測回路技術を開発しました。

K. Yoshioka et al., "A 20ch TDC/ADC hybrid SoC for 240×96-pixel 10%-reflection <0.125%-precision 200m-range imaging LiDAR with smart accumulation technique," 2018 IEEE International Solid - State Circuits Conference - (ISSCC), San Francisco, CA, 2018, pp. 92-94.
doi: 10.1109/ISSCC.2018.8310199

* 株式会社東芝 研究開発センターと東芝デバイス&ストレージ(株)との共著論文(筆頭は株式会社東芝)


IC/LSIのEMC解析に向けた伝導性エミッション/イミュニティマクロモデル構築検討 NEW 詳細

IC/LSIのEMC解析に向けた伝導性エミッション/イミュニティマクロモデル構築検討

近年、製品の小型化、高速化、低電圧化の流れを受けて、製品レベルのみならず、半導体レベルでEMC性能を要求されることが増えています。本論文では、IEC 62443-2、IEC 62433-4で規定されているモデル構造と、それに則したモデルの抽出方法を提案しています。

*本論文は第27回マイクロエレクトロニクスシンポジウム(MES2017)で発表したものであり、著作権はエレクトロニクス実装学会に帰属しています


半導体EMC試験所 ISO/IEC 17025 認定取得 NEW 詳細

高性能化、高集積化、小型化が進むIoT・車載機器等の製品を販売する際に、法令や指令などにより規定されている規格への適合が求められており、近年、EMC(Electromagnetic Compatibility)も各国で法規制化が進んでいます。

特に車載半導体では、ECE R10の法制化を背景に、EMC試験の重要性が高まっています。

Low noise superjunction MOSFET with integrated snubber structure NEW 詳細

Low noise superjunction MOSFET with integrated snubber structure

SJ-MOSFET(スーパージャンクションMOSFET)において、内部にスナバ領域を追加することで、放射ノイズレベルの低減と高効率とを両立することを実証しました

H. Yamashita et al., "Low noise superjunction MOSFET with integrated snubber structure," 2018 IEEE 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Chicago, IL, 2018, pp. 32-35. doi: 10.1109/ISPSD.2018.8393595

* 株式会社東芝 生産技術センターと東芝デバイス&ストレージ(株)との共著論文(東芝デバイス&ストレージ(株)が筆頭)

Breakthrough of Drain Current Capability and On-Resistance Limits by Gate-Connected Superjunction MOSFET NEW 詳細

Breakthrough of Drain Current Capability and On-Resistance Limits by Gate-Connected Superjunction MOSFET

Power MOSFETはスイッチングモードの電源とインバータシステムにおける主要コンポーネントです。本稿は、高ドレイン電流密度と低オン抵抗との両立するゲート接続型スーパージャンクション(GS) MOSFETの新規構造についてデザインコンセプト、デバイス構造、デバイスの特徴を論ずるものです。

W. Saito, "Breakthrough of drain current capability and on-resistance limits by gate-connected superjunction MOSFET," 2018 IEEE 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Chicago, IL, 2018, pp. 36-39. doi: 10.1109/ISPSD.2018.8393596

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·設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報および本製品が使用される機器の取扱説明書などをご確認の上、これに従ってください。