SiC MOSFET模組的閘極驅動電路

近年來， SiC MOSFET模組比傳統的IGBT模組尺寸更小、損耗更低，因此越來越受歡迎，在工業馬達驅動、鐵路逆變器等功率轉換應用中非常有用。這是一款具有各種保護功能的閘極驅動電路，可安全地驅動SiC MOSFET模組。 該設計採用TLP5231預驅動光耦，該元件能夠透過外部緩衝MOSFET實現大電流閘極驅動，並內建多種保護功能，可實現大電流／高壓SiC MOSFET模組的隔離閘極驅動。它由62mm×100mm板上的高壓側和低壓側兩個通道組成，可安裝在東芝雙MOSFET模組上。 提供有關電路各部分的設計技巧、操作方法以及電路圖和PCB 圖案等設計資訊，請將其用於您的設計。 請注意：自2026年4月起，2SC6026MFV 已被列為「不建議用於新設計（NRND）」產品。

電路板外觀
電路板外觀
TLP5231 TLP5231 TPC8132 TPC8132 SSM6K804R SSM6K804R SSM6K804R SSM6K804R TCR1HF50B TCR1HF50B SSM3K15AFS SSM3K15AFS 2SC6026MFV 2SC6026MFV TLP5231 TLP5231 TPC8132 TPC8132 SSM6K804R SSM6K804R SSM6K804R SSM6K804R TCR1HF50B TCR1HF50B SSM3K15AFS SSM3K15AFS 2SC6026MFV 2SC6026MFV

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特性

  • 開發了適用於大電流／高電壓SiC MOSFET模組的具有多種保護功能的隔離閘極驅動器
  • 參數設定與我們的SiC MOSFET模組（MG400V2YMS3、MG600Q2YMS3、MG250YD2YMS3）組合使用
  • 尺寸與我們的SiC MOSFET模組相同

說明

控制電源電壓 DC24V
驅動通道數 2 通道：低壓側，高壓側
閘極控制訊號輸入 5V CMOS
閘極驅動輸出 +20V (典型值) / -6.7V (典型值)

Design Documents

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Design Data

Provides circuit data that can be loaded into EDA tools, PCB layout data, and data used in PCB manufacturing. Available in formats from multiple tool vendors. You can freely edit it with your preferred tool.

使用東芝項目/產品

器件型號 器件目錄 使用部位・數量 說明
光耦（光電IC輸出） 預驅動電路・2 光耦（光電IC輸出），功率元件預驅動電路，IOP=+/-2.5 A, 5000 Vrms, SO16L
功率MOSFET（P通道單通道） 打開緩衝器・2 P通道 MOSFET, -40 V, 0.025 Ω@10V, SOP-8, U-MOSⅥ
小型低導通電阻 MOSFETs 關閉緩衝器・4 N通道 MOSFET, 40V, 12A, 18mΩ@4.5V, TSOP6F
低壓差（LDO）線性穩壓器 產生控制電源電壓・4 高電壓、低靜態電流、快速負載瞬態CMOS線性穩壓器
小訊號 MOSFET 輸入訊號驅動・２ N通道 MOSFET, 30 V, 0.1 A, 3.6 Ω@4V, SOT-416(SSM)
低頻小訊號放大電晶體 故障檢測訊號輸出・2 NPN雙極電晶體, 50 V, 0.15 A, SOT-723(VESM)

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Such as low power consumption, miniaturization and robust operation are important in designing inverter/servo. Toshiba provides information on a wide range of semiconductor products suitable for power supply unit, motor driving circuit units, signal transmission units, etc., along with circuit configuration examples.
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