近年、産業用モータードライブや鉄道用インバーターなどの電力変換装置では小型化、損失低減を目的に、従来のSi系パワーデバイスに代わりSiC MOSFETを搭載したSiC MOSFETモジュールの採用が進んでいます。各種保護機能を搭載し、このSiC MOSFETモジュールを安全に駆動するゲートドライバー回路です。
本デザインは、外付けバッファー用MOSFETによる大電流ゲート駆動が可能で各種保護機能が内蔵されたプリドライバーカプラーTLP5231を使用することで、大電流/高電圧SiC MOSFETモジュールを絶縁ゲート駆動します。ハイサイドとローサイドの2チャンネル構成を62mm × 100mmの基板サイズで実現し、当社Dual MOSFETモジュールにビルトイン可能です。
回路各部の設計ポイント・使用方法・各部調整方法の解説や、回路図や基板パターンの設計情報を提供しており、皆様の設計にお役立ていただけます。
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制御用電源電圧 | DC24V |
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駆動チャネル数 | 2 ch:ローサイド、ハイサイド |
ゲート制御信号入力 | 5V CMOS |
ゲート駆動出力 | +20V (標準) / -6.7V (標準) |
回路の動作概要、設計ポイントの解説など、設計者向けの資料を提供。各タブをクリックして、回路設計・検討にお役立てください。
EDAツールに読み込んで使用する回路データ、PCBレイアウトデータ、PCB製造に使用するデータを提供。複数のツールベンダーの形式を用意しています。お使いのツールで自由に編集加工可能です。
品番 | 製品 | 搭載部位・数量 | 特徴 |
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フォトカプラー(IC出力) | プリドライバー・2 | Photocoupler (photo-IC output), Power device pre-driver, IOP=+/-2.5 A, 5000 Vrms, SO16L | |
パワーMOSFET (P-ch 1素子) | ターンオン用バッファ・2 | P-ch MOSFET, -40 V, 0.025 Ω@10V, SOP-8, U-MOSⅥ | |
小型・低オン抵抗MOSFET | ターンオフ用バッファ・4 | N-ch, MOSFET, 40V, 12A, 18mΩ@4.5V, TSOP6F | |
低ドロップアウト(LDO)リニアーボルテージレギュレーター | 制御電源電圧生成・4 | High voltage, Low quiescent current, Fast load transient CMOS Linear Regulator | |
小信号MOSFET | 入力信号駆動・2 | N-ch MOSFET, 30 V, 0.1 A, 3.6 Ω@4V, SOT-416(SSM) | |
低周波増幅用トランジスター | 異常検出信号出力・2 | NPN Bipolar Transistor, 50 V, 0.15 A, SOT-723(VESM) |
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