40V N通道車載MOSFET(S-TOGL™高散熱、小型封裝)擴展產品線

Lineup Expansion of Automotive 40V N‑channel MOSFETs in Small, High Heat Dissipation S‑TOGL™ Package

東芝電子元件及儲存裝置株式會社(簡稱“東芝”)現已推出40V N通道車載功率MOSFET“XPJ1R504PB”,擴展了適用於12V系統的產品線。本產品採用S-TOGL™封裝,額定電流為120A。
東芝新推出的這款產品屬於採用S-TOGL™封裝、已量產的40V產品的現有產品線(包括XPJR6604PB和XPJ1R004PB)。東芝進一步擴展了產品種類,從而能夠滿足各種不同的應用需求及性能要求。

近年來,隨著汽車設備電氣化程度的不斷提高,逆變器和馬達驅動器的應用範圍也在擴大,這使得這些設備的輸出功率和效率得到了進一步提升。為了順應這些趨勢,MOSFET必須滿足低功率損耗和高散熱性能需求。 XPJ1R504PB採用S-TOGL™封裝,可達到小巧的高密度表面封裝和優異的散熱性能,有助於縮小車載設備的尺寸、提高效率。

車用設備需適用於各種溫度環境,因此電路板安裝中焊點的可靠性顯得格外重要。 S-TOGL™封裝採用鷗翼引腳,有助於減輕應力,進而提高焊錫接點的可靠性。

這款新產品採用一體式結構,這種設計將晶片的源極連接端與外部引線整合在一起,從而有效降低了寄生電阻,使得其導通電阻也更低。這樣有助於減少導熱損耗並抑制熱量的產生,進而提升整個系統的效率。本產品也符合AEC-Q101汽車可靠性標準。

東芝將持續推動適合各種應用與系統需求的MOSFET車載產品的開發,協助提升產品在各種車用應用的效率。

特性

採用S-TOGL™小型封裝,封裝熱阻低,散熱性能高。

特性說明

採用S-TOGL™小型封裝,封裝熱阻低,散熱性能高

Figure 1. Comparison of post structure and post-less structure
圖1. 柱式結構與無柱結構的比較

S-TOGL™封裝採用一體式結構,將晶片的源極連接端與外部引腳整合在一起,從而省去了內部連接引腳。這樣就可以降低寄生電阻,從而實現較低的導通電阻(R DS(ON) )。此外,使用厚銅框架可以降低通道與外殼之間的瞬態熱阻抗,有助於縮小設備的體積並減少功率損耗。此外,源極接腳採用多接腳結構設計,有助於改善電流分佈,使其具備較高的電流承載能力。

應用

  • 車載設備:變頻器、半導體繼電器、負載開關、馬達驅動等

主要規格

(在T a =25°C條件下,除非另有規定)

型號 XPJ1R504PB XPJR6604PB[1] XPJ1R004PB[1]
極性 N-channel
絕對最大額定值 汲源極電壓 VDSS (V) 40
汲極電流 (DC) ID (A) 120 200 160
汲極電流 (脈衝) IDP (A) 360 600 480
結溫 Tch (°C) 175
電氣特性 汲源極導通電阻
RDS(ON) (mΩ)
VGS=6V Max 2.67 1.16 1.8
VGS=10V Max 1.54 0.66 1.0
閘極閾值電壓
Vth (V)
VDS=10V 2.0 to 3.0
輸入電容
Ciss (pF)
VDS=10V,
VGS=0V,
f=300kHz
Typ. 4100 8750 5300
熱特性 通道與外殼之間的熱阻
Zth(ch-c) (°C/W)
Tc=25°C Max 0.76 0.4 0.67
封裝 S-TOGL™
系列 U-MOSⅨ-H
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註:
[1]現有產品

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