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開發 / 設計支援
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東芝電子元件及儲存裝置株式會社(簡稱“東芝”)現已推出40V N通道車載功率MOSFET“XPJ1R504PB”,擴展了適用於12V系統的產品線。本產品採用S-TOGL™封裝,額定電流為120A。
東芝新推出的這款產品屬於採用S-TOGL™封裝、已量產的40V產品的現有產品線(包括XPJR6604PB和XPJ1R004PB)。東芝進一步擴展了產品種類,從而能夠滿足各種不同的應用需求及性能要求。
近年來,隨著汽車設備電氣化程度的不斷提高,逆變器和馬達驅動器的應用範圍也在擴大,這使得這些設備的輸出功率和效率得到了進一步提升。為了順應這些趨勢,MOSFET必須滿足低功率損耗和高散熱性能需求。 XPJ1R504PB採用S-TOGL™封裝,可達到小巧的高密度表面封裝和優異的散熱性能,有助於縮小車載設備的尺寸、提高效率。
車用設備需適用於各種溫度環境,因此電路板安裝中焊點的可靠性顯得格外重要。 S-TOGL™封裝採用鷗翼引腳,有助於減輕應力,進而提高焊錫接點的可靠性。
這款新產品採用一體式結構,這種設計將晶片的源極連接端與外部引線整合在一起,從而有效降低了寄生電阻,使得其導通電阻也更低。這樣有助於減少導熱損耗並抑制熱量的產生,進而提升整個系統的效率。本產品也符合AEC-Q101汽車可靠性標準。
東芝將持續推動適合各種應用與系統需求的MOSFET車載產品的開發,協助提升產品在各種車用應用的效率。
採用S-TOGL™小型封裝,封裝熱阻低,散熱性能高。
S-TOGL™封裝採用一體式結構,將晶片的源極連接端與外部引腳整合在一起,從而省去了內部連接引腳。這樣就可以降低寄生電阻,從而實現較低的導通電阻(R DS(ON) )。此外,使用厚銅框架可以降低通道與外殼之間的瞬態熱阻抗,有助於縮小設備的體積並減少功率損耗。此外,源極接腳採用多接腳結構設計,有助於改善電流分佈,使其具備較高的電流承載能力。
(在T a =25°C條件下,除非另有規定)
| 型號 | XPJ1R504PB | XPJR6604PB[1] | XPJ1R004PB[1] | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 極性 | N-channel | |||||
| 絕對最大額定值 | 汲源極電壓 VDSS (V) | 40 | ||||
| 汲極電流 (DC) ID (A) | 120 | 200 | 160 | |||
| 汲極電流 (脈衝) IDP (A) | 360 | 600 | 480 | |||
| 結溫 Tch (°C) | 175 | |||||
| 電氣特性 | 汲源極導通電阻 RDS(ON) (mΩ) |
VGS=6V | Max | 2.67 | 1.16 | 1.8 |
| VGS=10V | Max | 1.54 | 0.66 | 1.0 | ||
| 閘極閾值電壓 Vth (V) |
VDS=10V | 2.0 to 3.0 | ||||
| 輸入電容 Ciss (pF) |
VDS=10V, VGS=0V, f=300kHz |
Typ. | 4100 | 8750 | 5300 | |
| 熱特性 | 通道與外殼之間的熱阻 Zth(ch-c) (°C/W) |
Tc=25°C | Max | 0.76 | 0.4 | 0.67 |
| 封裝 | S-TOGL™ | |||||
| 系列 | U-MOSⅨ-H | |||||
| 庫存查詢與購買 | ![]() |
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|||
註:
[1]現有產品
ABS/ESC, Electric Brake Booster, Electric Parking Brake (Type of N-ch MOSFETs) (PDF: 1.25MB)
Junction Box (PDF: 1.34MB)
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*S-TOGL™是東芝電子元件與儲存株式會社的商標。
*本文提及的公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
*本文件中所載資訊,包括產品價格及產品規格、服務內容及聯絡方式,僅於公告當日有效,如有更改,恕不另行通知。
