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小型・高放熱のS-TOGL™パッケージを採用した車載用40V耐圧NチャネルMOSFETのラインアップ拡充
当社は、S-TOGL™パッケージを採用した車載用40V耐圧・120A電流定格のNチャネルパワーMOSFET「XPJ1R504PB」を製品化し、12Vシステム向けのラインアップを拡充しました。
すでに量産しているS-TOGL™パッケージの40V耐圧製品XPJR6604PB、XPJ1R004PBに本製品を加えることで、用途や要求性能に応じた製品選択の幅を拡大しました。
近年、車載機器は電動化の進展に伴い、インバーターやモータードライブなどの採用が拡大し、機器の高出力化・高効率化が進んでいます。これに対応するため、低損失と高放熱を両立できるMOSFETが求められています。新製品「XPJ1R504PB」は、S-TOGL™パッケージの採用により、小型・高密度実装と優れた放熱性を両立し、車載機器の小型化と高効率化に貢献します。
車載機器は幅広い温度環境で使用されるため、基板実装部におけるはんだ接合の信頼性が重要視されます。S-TOGL™パッケージは、実装応力を緩和するガルウィング形状のリードを採用しており、基板実装におけるはんだ接合信頼性の向上に貢献します。
また、本製品はチップのソース電極接続部からアウターリードまでを一体化したポストレス構造を採用することで、寄生抵抗を低減し、低オン抵抗を実現しています。これにより、導通損失の低減と発熱抑制に寄与し、システム全体の高効率化に貢献します。さらに、車載信頼性規格AEC-Q101に適合しています。
当社は今後も、用途やシステム要件に適した車載用MOSFET製品の開発を進め、さまざまな車載アプリケーションの高効率化に貢献していきます。
新製品の主な特長
小型・低パッケージ抵抗・高放熱に適したS-TOGL™パッケージ
特長の解説
小型・低パッケージ抵抗・高放熱に適したS-TOGL™パッケージ
S-TOGL™パッケージは、チップのソース電極接続部からアウターリードまでを一体化し、内部接続部のポストをなくしたポストレス構造を採用しています。これにより寄生抵抗を低減し、低オン抵抗(RDS(ON))を実現しています。また、厚板フレーム（厚みのあるCuフレーム）を採用することでチャネル・ケース間の過渡熱インピーダンスを低減し、機器の小型化および低損失化に貢献します。さらに、ソース端子を多ピン化することで電流分散性を向上させ、大電流対応を実現しています。
アプリケーション
- 車載機器 (インバーター、半導体リレー、ロードスイッチ、モータードライブなど)
新製品の主な仕様
(特に指定のない限り、Ta=25°C)
| 品番 | XPJ1R504PB | XPJR6604PB[注1] | XPJ1R004PB[注1] | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 極性 | Nチャネル | |||||
| 絶対最大定格 | ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V) | 40 | ||||
| ドレイン電流 (DC) ID (A) | 120 | 200 | 160 | |||
| ドレイン電流 (パルス) IDP (A) | 360 | 600 | 480 | |||
| チャネル温度 Tch (°C) | 175 | |||||
| 電気的特性 | ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON) (mΩ) |
VGS=6V | Max | 2.67 | 1.16 | 1.8 |
| VGS=10V | Max | 1.54 | 0.66 | 1.0 | ||
| ゲートしきい値電圧 Vth (V) |
VDS=10V | 2.0～3.0 | ||||
| 入力容量 Ciss (pF) |
VDS=10V、 VGS=0V、 f=300kHz |
Typ. | 4100 | 8750 | 5300 | |
| 熱抵抗特性 | チャネル・ケース間過渡熱インピーダンス Zth(ch-c) (°C/W) |
Tc=25°C | Max | 0.76 | 0.4 | 0.67 |
| パッケージ | S-TOGL™ | |||||
| シリーズ | U-MOSⅨ-H | |||||
| 在庫検索＆Web少量購入 |  |
|
|
|||
[注1] 既存製品
関連コンテンツ
ABS/ESC用ブレーキアクチュエーター (Nchタイプ) (PDF: 1.55MB)
ジャンクションボックス (PDF: 1.84MB)
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