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クロスリファレンスでは参考品名が表示されますので、製品に関する最新の情報をデータシート等でご確認の上、単独およびシステム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。
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絶対最大定格のドレイン電流ID・IDPは温度に関わらず一定ですか?

ドレイン電流の許容範囲は温度に対し一定ではありません。周囲温度(パッケージ温度)、放熱条件(熱抵抗)によって左右されます。
製品ごとの許容範囲に対してはパッケージの熱抵抗、データシートに記載されている最大定格のチャネル温度が大きく関係します。また、パッケージの通電能力や安全動作領域によって制限を受ける場合もあります。

データシートに記載されているドレイン電流ID・IDPは周囲温度25℃の理想的な放熱条件下で規定しています。IDは直流印加時の順方向ドレイン電流の最大定格を表します。またIDPは規定のパルス幅で印加できる順方向のドレイン電流の最大定格になります。
これらの電流は規定条件でMOSFETがオン領域(線形領域)で動作しているときにチャネル温度がTch(max)を超えないように設定されています。
オン領域におけるMOSFETの温度上昇は、ドレイン・ソース間オン抵抗RDS(ON)による電力損失PRlossが主要因です。
例として、直流印加時の順方向ドレイン電流IDを求めます。
オン抵抗RDS(ON)による損失PRloss

PRloss = RDS(ON) x ID2

損失により発生した熱による温度上昇ΔTは、製品の熱抵抗をRth(ch-c)とすると

ΔT = PRloss x Rth(ch-c)

MOSFETの使用時のケース温度をTCとすると、これにΔTを加えたものがチャネル温度になるので以下の式を満足する必要があります。

TC + ΔT < Tch(max)

これらの式をIDに対して整理すると、以下のようになります。IDPも同様に考えることができます。

絶対最大定格のドレイン電流ID・IDPは温度に関わらず一定ですか?

Tch(max) : チャネル温度 max    
TC : ケース温度(25°C)
Rth(ch-c) : 定常熱抵抗
rth(ch-c)(t) : 過渡熱抵抗
RDS(ON)(max) : 最大チャネル温度時のドレイン・ソース間オン抵抗の max 値

過渡熱抵抗特性図

過渡熱抵抗 rth(ch-c)(t) はデータシート記載の過渡熱抵抗特性図から読み取ります。

以下の資料に関連する情報があります。参考にしてください。

最大定格:パワーMOSFET アプリケーションノート(PDF:1,593KB)
熱設計と放熱器への取り付け:パワーMOSFET アプリケーションノート(PDF:1,329KB)

実際の設計では、算出した値に対し余裕を持った設計をお願いします。ディレーティングの程度により、信頼性が大きく変化します。
ディレーティングに関しては下記に情報があります。参考にしてください。

信頼性情報「取扱い上のご注意とお願い」

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