絶対最大定格のドレイン電流I_D・I_DPは温度に関わらず一定ですか？

製品ごとの許容範囲に対してはパッケージの熱抵抗、データシートに記載されている最大定格のチャネル温度が大きく関係します。また、パッケージの通電能力や安全動作領域によって制限を受ける場合もあります。

データシートに記載されているドレイン電流I_D・I_DPは周囲温度25℃の理想的な放熱条件下で規定しています。I_Dは直流印加時の順方向ドレイン電流の最大定格を表します。またI_DPは規定のパルス幅で印加できる順方向のドレイン電流の最大定格になります。
これらの電流は規定条件でMOSFETがオン領域（線形領域）で動作しているときにチャネル温度がT_ch(max)を超えないように設定されています。
オン領域におけるMOSFETの温度上昇は、ドレイン・ソース間オン抵抗R_DS(ON)による電力損失P_Rlossが主要因です。
例として、直流印加時の順方向ドレイン電流I_Dを求めます。
オン抵抗R_DS(ON)による損失P_Rlossは

P_Rloss = R_DS(ON) x I_D²

損失により発生した熱による温度上昇ΔTは、製品の熱抵抗をR_th(ch-c)とすると

ΔT = P_Rloss ｘ R_th(ch-c)

MOSFETの使用時のケース温度をT_Cとすると、これにΔTを加えたものがチャネル温度になるので以下の式を満足する必要があります。

T_C + ΔT < T_ch(max)

これらの式をI_Dに対して整理すると、以下のようになります。I_DPも同様に考えることができます。

以下の資料に関連する情報があります。参考にしてください。