ケルビン接続とは何ですか？

抵抗値が不明の抵抗Rを測定するとき、図-1のように電流源を使って電流Iを流し込み電圧を測定することで抵抗を求めることができます。このとき配線が長いと配線の持つ抵抗分が加算され測定精度が悪くなることがあります。
このようなとき、図-2のように電流の流れる経路とは別に測定経路を設けることで、測定経路に仮に配線抵抗r’が存在しても、測定経路には電流は流れないので抵抗端の電圧が精度よく測定でき、精度の高い抵抗測定が可能です。

MOSFETはゲート・ソース間の電圧で制御するデバイスです。ドレイン電流が大きいときにゲート・ソース間の電圧印加で図-1と同様のことが生じます。特に、ドレイン電流が大きく変化するMOSFETのターンオン・ターンオフ時には配線のインダクタンスによる影響が大きくなることがあります。
図-3の回路で考えます。ゲート端子とGND間に外部からゲート電圧V_GSが印加されています。
MOSFET内部にソースのボンディングワイヤによるインダクタンスL_bと外部配線によるインダクタンスL_Wがあります。これらインダクタンスに流れるターンオン・ターンオフ時の電流の変化（dI_D/dt）によって、ソース電圧V_LSはGNDから V_LS ＝ ( L_b + L_W ) x dI_D/dt の電圧を持ち、スイッチング特性に大きな影響を与えます。

図-4の回路のように、ドレイン電流I_Dが流れる経路と制御信号であるゲート・ソース間電圧V_GSを印加する経路を分けた場合、V_GSはI_Dの影響を少なくすることが可能です。

ケルビン接続可能なMOSFET用パッケージには以下のものがあります。

TO-247-4L, TOLL, DFN8x8

以下の資料にも関連する説明がありますので、ご参照ください。