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抵抗内蔵型トランジスターの基本形は、トランジスター (NPNもしくはPNP) と 2つの抵抗*(ベースシリーズ抵抗 R1 、ベース・エミッター間抵抗 R2) からなります。この組み合わせを1素子とし、パッケージに封入しています。また、素子数として1個入りのシングル品(1in1)と2個入りのデュアル品(2in1)があります。デュアル品にはピン配置の異なるエミッターコモンタイプ、点対称タイプ、並行配置タイプの3つがあります。
以下にNPNトランジスターで構成した各タイプの図を示します。
その他、PNPで構成した製品、デュアル品の点対称タイプにはNPNとPNPの混載した製品など幅広くご提供しております。
*: R2の無いタイプの製品もあります。