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クロスリファレンスでは参考品名が表示されますので、製品に関する最新の情報をデータシート等でご確認の上、単独およびシステム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。
参考にしている情報は、取得した時点の各メーカーの公式情報に基づいた当社の推定によるものです。
当社は、情報の正確性、完全性に関して一切の保証をいたしません。また、情報は予告なく変更されることがあります。

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高周波デバイス

製品分類名をクリックすると、高周波デバイスの品番付与法がご覧いただけます。

高周波ダイオード EIAJ登録品種

高周波ダイオード EIAJ登録品種の品番例

1. 有効電気的接続数 -1の値

2. S : 半導体を表す

3. ダイオードの種類を表す (ただし省略あり)

  • S : 一般用、検波用、周波数変換用、スイッチング用ダイオード
  • V : 可変容量ダイオード、PINダイオード
  • Z : 定電圧ダイオード

4. 追番号 ( EIAJ登録番号 )

高周波ダイオード EIAJ非登録品種

高周波ダイオード EIAJ非登録品種の品番例

1. 高周波ダイオードを示す

2. デバイス種別により以下のとおり

  • H : ショットキーバリアダイオード
  • P : PINダイオード
  • S : バンドスイッチングダイオード
  • V : バリキャップダイオード

3. 端子数を表す

4. 内部接続により以下のとおり

  • S : シングル
  • C : カソードコモン
  • P : パラレル

5. 追番号

6. パッケージにより下表のとおり

(省略) S-MINI
U USC, USQ
T TESC, TESQ
E ESC
S sESC
FS fSC
CT CST3, CST4
SC SC2
FV VESM

高周波小信号トランジスター EIAJ登録品種

高周波小信号トランジスター EIAJ登録品種の品番例

1. 有効電気的接続数 -1の値

2. S : 半導体を表す

3. 回路機能を表す

  • A : PNP形およびこれに類似の形のトランジスターで高周波のもの
  • B : PNP形およびこれに類似の形のトランジスターで低周波のもの
  • C : NPN形およびこれに類似の形のトランジスターで高周波のもの
  • D : NPN形およびこれに類似の形のトランジスターで低周波のもの
  • J : Pチャネル電界効果トランジスター (FET)
  • K : チャネル電界効果トランジスター (FET)

4. 追番号 (EIAJ登録番号)

5. 変更の添え字

高周波小信号トランジスター µ波トランジスター

高周波小信号トランジスター µ波トランジスターの品番例

1. 東芝µ波トランジスターを示す

2. 端子数を表す

3. 内部接続により以下のとおり

  • S : シングル
  • C : カスケード
  • P : パラレル (平行配置)
  • L : ラテラル (電極線対称配置)

4. 追番号

5. 変更を示す添え字

6. パッケージにより下表のとおり

(省略) S-MINI, SMQ
U USM, USQ, US6
S SSM, sES6
T TESM, TU6, TESQ
E ES6
FS fSM, fS6
CT CST3

高周波パワートランジスター EIAJ登録品種

高周波パワートランジスター EIAJ登録品種の品番例

1. 有効電気的接続数 -1の値

2. S :半導体を表す

3. 回路機能を表す

  • A : PNP形およびこれに類似の形のトランジスターで高周波のもの
  • B : PNP形およびこれに類似の形のトランジスターで低周波のもの
  • C : NPN形およびこれに類似の形のトランジスターで高周波のもの
  • D : NPN形およびこれに類似の形のトランジスタで低周波のもの
  • J : Pチャネル電界効果トランジスター (FET)
  • K : Nチャネル電界効果トランジスター (FET)

4. 追番号 (EIAJ登録番号)

5. 変更の添え字

高周波パワートランジスター RF-MOSFET

高周波パワートランジスター RF-MOSFETの品番例

1. 東芝RF-MOSFETを示す

2. 出力電力(W)により以下のとおり

  • 00 : 0.03W
  • 07 : 7.0W
  • 12 : 11.5W

3. 動作周波数(MHz)により以下のとおり

  • U : 400〜520MHz
  • M : 700〜950MHz

4. 動作電圧(V)により以下のとおり

  • 4 : 4.5V
  • 7 : 7.2V

5. 形名で識別できない違い(例:高耐圧品)

6. パッケージにより以下のとおり

  • U : USQ
  • M : PW-MINI
  • X : PW-X

高周波パワーモジュール

高周波パワーモジュールの品番例

1. 東芝RFパワーモジュールを示す

2. 周波数帯により以下のとおり

  • U : UHF
  • V : VHF

3. 追番号

4. 変更を示す添え字

5. 周波数帯細分を示す。この項が付加される場合同一シリーズにおける周波数の大小関係は以下の順
VL < L < M < H < VH < SH

高周波用セルパック

高周波用セルパックの品番例

1. 材料・用途により以下のとおり

1項 材料 用途
TA40 Si 水晶発振器用
UHF Wide band Amp.
VHF~UHF Wide band Amp.
VHF (Wide) RF Amp.
ケーブルモデム用
TA41 VHF~UHF Amp. MIX
VHF~UHF DBM
1.9GHz U/C MIX
1GHz帯 D/C IC
TA43 BS/CS D/C IC
TG20 GaAs PHS用Power Amp.
TG22 PHS SPDT Sw.
汎用 SPDT Sw.
ATT

2. 追番号

3. パッケージによって以下のとおり

  • FU :USV
  • F (一部AF) : SMQ, SMV, SM6, SM8, SSOP20
  • FE : ESV, ES6
  • FT : TU6
  • FC : CS6
  • S : sES6
  • TU :UF6
  • CTB :CST6B
  • CT : CST20

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