高周波デバイス

1. 有効電気的接続数 -1の値

2. S ： 半導体を表す

3. ダイオードの種類を表す (ただし省略あり)

• S ： 一般用、検波用、周波数変換用、スイッチング用ダイオード
• V ： 可変容量ダイオード、PINダイオード
• Z ： 定電圧ダイオード

4. 追番号 ( EIAJ登録番号 )

1. 高周波ダイオードを示す

2. デバイス種別により以下のとおり

• H ： ショットキーバリアダイオード
• P ： PINダイオード
• S ： バンドスイッチングダイオード
• V ： バリキャップダイオード

3. 端子数を表す

4. 内部接続により以下のとおり

• S ： シングル
• C ： カソードコモン
• P ： パラレル

5. 追番号

6. パッケージにより下表のとおり

1. 有効電気的接続数 -1の値

2. S ： 半導体を表す

3. 回路機能を表す

• A ： PNP形およびこれに類似の形のトランジスターで高周波のもの
• B ： PNP形およびこれに類似の形のトランジスターで低周波のもの
• C ： NPN形およびこれに類似の形のトランジスターで高周波のもの
• D ： NPN形およびこれに類似の形のトランジスターで低周波のもの
• J ： Pチャネル電界効果トランジスター (FET)
• K ： チャネル電界効果トランジスター (FET)

4. 追番号 (EIAJ登録番号)

5. 変更の添え字

1. 東芝µ波トランジスターを示す

2. 端子数を表す

3. 内部接続により以下のとおり

• S ： シングル
• C ： カスケード
• P ： パラレル (平行配置)
• L ： ラテラル (電極線対称配置)

4. 追番号

5. 変更を示す添え字

6. パッケージにより下表のとおり

1. 有効電気的接続数 -1の値

2. S ：半導体を表す

3. 回路機能を表す

• A ： PNP形およびこれに類似の形のトランジスターで高周波のもの
• B ： PNP形およびこれに類似の形のトランジスターで低周波のもの
• C ： NPN形およびこれに類似の形のトランジスターで高周波のもの
• D ： NPN形およびこれに類似の形のトランジスタで低周波のもの
• J ： Pチャネル電界効果トランジスター (FET)
• K ： Nチャネル電界効果トランジスター (FET)

4. 追番号 (EIAJ登録番号)

5. 変更の添え字

1. 東芝RF-MOSFETを示す

2. 出力電力(W)により以下のとおり

• 00 ： 0.03W
• 07 ： 7.0W
• 12 ： 11.5W

3. 動作周波数(MHz)により以下のとおり

• U ： 400〜520MHz
• M ： 700〜950MHz

4. 動作電圧(V)により以下のとおり

• 4 ： 4.5V
• 7 ： 7.2V

5. 形名で識別できない違い(例：高耐圧品)

6. パッケージにより以下のとおり

• U ： USQ
• M ： PW-MINI
• X ： PW-X

1. 東芝RFパワーモジュールを示す

2. 周波数帯により以下のとおり

• U ： UHF
• V ： VHF

3. 追番号

4. 変更を示す添え字

5. 周波数帯細分を示す。この項が付加される場合同一シリーズにおける周波数の大小関係は以下の順
VL < L < M < H < VH < SH

1. 材料・用途により以下のとおり

2. 追番号

3. パッケージによって以下のとおり

• FU ：USV
• F (一部AF) ： SMQ, SMV, SM6, SM8, SSOP20
• FE ： ESV, ES6
• FT ： TU6
• FC ： CS6
• S ： sES6
• TU ：UF6
• CTB ：CST6B
• CT ： CST20