Full SiC MOSFET 10kW絶縁双方向DC-DCコンバーター

Dual Active Bridge（DAB）変換方式と高圧側・低圧側共にSiC MOSFETを採用した10kW絶縁双方向DC-DCコンバーターのリファレンスデザインです。
回路各部の設計ポイント・使用方法・各部調整方法の解説や、回路図や基板パターンの設計情報を提供しており、皆様の設計にお役立ていただけます。

基板外観
基板外観
TW060N120C TW060N120C TW060N120C TW060N120C TW048N65C TW048N65C TW048N65C TW048N65C TW060N120C TW048N65C TLP7920 TLP5214A

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特長

  • 変換効率：97.6% (Vin = 750V、100%負荷)
  • 回路構成：Dual Active Bridge（DAB）変換方式
  • 外形サイズ：565mm x 360mm x 270mm
  • SiC MOSFET、スマートゲートドライバーカプラー、アイソレーションアンプをトータルで提案
  • 当社最新世代SiC MOSFET搭載
効率カーブ
効率カーブ

デザインドキュメント

回路の動作概要、設計ポイントの解説など、設計者向けの資料を提供。各タブをクリックして、回路設計・検討にお役立てください。

デザインデータ

EDAツールに読み込んで使用する回路データ、PCBレイアウトデータ、PCB製造に使用するデータを提供。複数のツールベンダーの形式を用意しています。お使いのツールで自由に編集加工可能です。

使用東芝製品

品番 製品 搭載部位・数量 特徴
パワー SiC MOSFET 高圧側スイッチ・4 N-ch SiC MOSFET, 1200 V, 0.060 Ω(typ.)@18V, TO-247, 3rd Gen.
パワー SiC MOSFET 低圧側スイッチ・4 N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.048 Ω(typ.)@18V, TO-247, 3rd Gen.
フォトカプラー(IC出力) ゲート駆動回路・8 Photocoupler (photo-IC output), IGBT driver, IOP=+/-4.0 A, 5000 Vrms, SO16L
フォトカプラー(アイソレーションアンプ) 電圧検出・2 Photocoupler(Isolation Amplifier), Analog output, 5000 Vrms, DIP8

関連ドキュメント

搭載製品のアプリケーションノートなど、類似回路の設計・検討に役立つ資料を提供。各タブをクリックして活用ください。

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