12 Vパワーライン用N-ch MOSFETを用いたON/OFF制御および逆接保護回路例
Part number |
Rated drain current |
On-resistance (Max) |
Package |
---|---|---|---|
40 |
3.8 |
||
120 |
1.35 |
||
150 |
0.79 |
||
150 |
0.79 |
||
XPJR6604PB * |
(200) |
(0.66) |
S-TOGL™ |
400 |
0.30 |
L-TOGL™ |
* : 開発中 (括弧書きは暫定仕様値となります。仕様は予告なく変更することがあります。)
Part number |
TPD7107F | ||
---|---|---|---|
Package | PS-8 (2.8 x 2.9 mm) | SSOP16 (5.5 x 6.4 mm) | WSON10A (3 x 3 mm) |
Function | High side gate driver | High side gate driver | High side gate driver |
Output | 1 | 1 | 1 |
Features |
|
|
|
Part number |
||||
---|---|---|---|---|
Package |
||||
VDSS [V] |
60 |
-60 |
-20 |
|
ID [A] |
0.4 |
-0.4 |
-0.8 |
|
RDS(ON) @|VGS| = 4.5 V [Ω] |
Typ. |
1.2 |
1.4 |
0.31 |
Max |
1.75 |
1.9 |
0.39 |
|
Drive voltage [V] |
4.5 |
-4.0 |
-1.2 |
|
Polarity |
N-ch |
P-ch |
P-ch |
* はUFMパッケージを示す
Part number |
NPN (BRT) |
PNP (BRT) |
|
---|---|---|---|
Package |
|||
VCEO [V] |
50 |
-50 |
|
IC [mA] |
100 |
-100 |
Part number |
|||
---|---|---|---|
Package |
|||
VESD [kV] @ISO 10605 |
±30 |
±30 |
±20 |
VRWM (Max) [V] |
12 |
24 |
28 |
Ct (Typ. / Max) [pF] |
9 / 10 |
6.5 / 8 |
|
RDYN (Typ.) [Ω] |
0.8 |
1.1 |
1.5 |
* S-TOGL™ およびL-TOGL™は、東芝デバイス&ストレージ株式会社の商標です。
* その他の社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。