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MOSFETの駆動信号において、立ち上がり・立ち下がり時間の注意点はありますか?

MOSFETのゲートを駆動する信号の立ち上がり・立ち下がり時間を極力短くしてください。

MOSFETに動作に関しては接続するゲートの抵抗値によってMOSFETのスイッチング時間が変わります。
ゲートの抵抗値が小さい場合は、
スイッチング時間が短かくなり、リンギング(減衰振動)が起きる可能性があります。
リンギングは発振やEMIノイズの原因になる可能性があります。

ゲートの抵抗値が大きい場合は、
スイッチング時間が長くなり、スイッチング損失が増えて発熱します。
ブリッジ回路では接続するゲートの抵抗の組み合わせにより上段下段間MOSFETの短絡が起こる可能性があります。

そのため、ゲートに接続する抵抗は最適な値を検討する必要があります。

以下資料にMOSFETのスイッチングに関する説明がございますので、参照ください。
資料名:MOSFET ゲート駆動回路

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