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図-1 BRT基本回路
図-1 BRT基本回路

データシートに記載されているバラツキ幅は、入力抵抗 R1ではセンター値に対し規格幅は±30%になります。ベース・エミッター間抵抗 R2は抵抗単体での規格はありません。抵抗比 (R1/R2) で規格化しています。規格幅は±10%です。
また、内蔵抵抗は温度依存性を持っています。温度特性のカーブを図-2に示します。約-0.2%/℃の温度依存性があります。

抵抗 R1について:
R1はBRTのB端子に入力された電圧を電流に変換する素子です。バイポーラトランジスターは電流駆動素子です。電圧で駆動しようとすると電圧に対するコレクター電流の変化が大きく制御が難しくなります。この抵抗があることで比較的容易に制御することが可能になります。BRTのオン時、入力電圧によりますが内蔵トランジスターはhFE= IC / Ibが10~20と飽和の状態で動作します。このため、R1を通る電流IBは数mA程度の比較的大きな電流が流れます。この抵抗の許容損失は1/8 Wですので、抵抗値の高いR1を内蔵した素子では、入力電圧VIの最大電圧はこの抵抗 (R1) で決まります。
(FAQ:“抵抗内蔵トランジスター(BRT)のベースに印加できる最大電圧は何Vですか?”を参照ください)

抵抗比R1/R2について:
R1/R2に依存する項目として入力オン電圧 VI(ON)があります。トランジスターがオンする直前ではベース電流IBは流れませんので、B端子に入力された電圧VIはR1とR2の分圧になります。内蔵トランジスターがオンする閾値電圧をVbe とすると
       Vbe = R2 / (R1+R2) * VI(ON)
Vbeは内蔵されるトランジスターが同じであれば、抵抗値が異なっても同じ値となります。
       VI(ON)=Vbe*(R1+R2) / R2 =  Vbe*( 1 + R1 / R2 )
このように抵抗比 R1/R2に依存することがわかります。

図-2 内蔵抵抗の温度特性
図-2 内蔵抵抗の温度特性
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