- 品番検索
- クロスリファレンス検索
- キーワード検索
- パラメトリック検索
- オンラインディストリビューター在庫検索
本機能は Internet Explorer 11 ではご利用頂けません。最新のGoogle Chrome, Microsoft Edge, Mozilla Firefox, Safariにてご利用ください。
品番は3文字以上指定して下さい。
クロスリファレンスでは参考品名が表示されますので、製品に関する最新の情報をデータシート等でご確認の上、単独およびシステム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。
参考にしている情報は、取得した時点の各メーカーの公式情報に基づいた当社の推定によるものです。
当社は、情報の正確性、完全性に関して一切の保証をいたしません。また、情報は予告なく変更されることがあります。
品番は3文字以上指定して下さい。
オンラインディストリビューターが保有する東芝製品の在庫照会および購入が行えるサービスです。
Si MOSFET/IGBTからSiC MOSFETに換えると、何が変わりますか？
Si IGBTからSiC MOSFETに置き換えることで高周波化によるセットの小型・軽量化と高効率な電力変換が実現できます。Si MOSFET/IGBTと、SiC MOSFETの特徴について、比較したイメージを表1に示します。
| 電気的特性項目 シンボル （改善方向） |
実使用上の関係 | Si 材料 | SiC 材料 | |
|---|---|---|---|---|
| MOSFET | IGBT （*FRD内蔵） |
MOSFET （SBD内蔵） |
||
| 耐圧（大） | セットの高耐圧化 | ★★ | ★★★ | ★★★ |
| スイッチング損失（小） | 効率（ターンオン/オフ時の損失の小ささ） | ★★ | ★ | ★★★ |
| 内蔵ダイオードの順電圧（小） | 効率（ダイオード通電時の損失の小ささ） | ★★ | ★★ | ★★★ |
| 内蔵ダイオードの逆回復時間trr（小） | 効率（ターンオン損失の小ささ） | ★ | ★★ | ★★★ |
表1 Si MOSFET、Si IGBT、SiC MOSFETの特徴比較
当社のSiC MOSFETとSi IGBT をTa=25°Cの環境下においてスイッチングさせたときの損失波形を図1（a）および（b）に示します。SiC MOSFETの場合、Si IGBTに比べてターンオフ損失およびターンオン損失で65%低減しています。
①ターンオン損失の低減は、 SiC MOSFETに内蔵されているSiC SBDの方が、Si IGBTに内蔵されているSi FRDよりも損失に影響するtrr・Irrが、小さいことが影響しています。
②ターンオフ損失の低減は 、SiC MOSFETは、Si IGBTのように少数キャリアの蓄積が無く、テール電流による損失が無いことが影響しています。
関連リンク
以下の資料にも関連する説明がありますので、ご参照ください。
