低損失(IGBT)

ターンオフスイッチング損失を低減することで実現しています。
実際のセットでは、省エネ化に貢献できます。

ターンオフスイッチング損失が小さい

グラフ1
グラフ2

新製品は、幅広いゲート抵抗範囲(39~150Ω)で、低VCE(sat)-低E(off)を実現します。

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