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TJ100F04M3L

新規設計非推奨

パワーMOSFET (P-ch 1素子)

製品概要

用途 車載 / リレードライブ / DC-DCコンバータ / モータドライブ
極性 P-ch
世代 U-MOSⅥ
内部接続 シングル
AEC-Q101 適合
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり
組立て拠点情報 日本

パッケージ

東芝パッケージ名 TO-220SM(W)
外観 TO-220SM(W)
ピン数 3
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)
10.0×13.0×3.5
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

絶対最大定格

項目 記号 単位
ドレイン-ソース間電圧 VDSS -40 V
ゲート-ソース間電圧 VGSS +10/-20 V
ドレイン電流 ID -100 A
許容損失 PD 250 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 単位
ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - -3.0 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 3.6
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=6V 5.4
入力容量 (Typ.) Ciss - 9500 pF
ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg VGS=-10V 250 nC

ドキュメント

  • チェックボックスが無効化されているドキュメントは、一括ダウンロードの対象外です。
名称 日付

2014年05月

 

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