新製品
パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V)
用途 | スイッチングレギュレーター |
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極性 | N-ch |
世代 | DTMOSⅥ |
内部接続 | シングル |
RoHS Compatible Product(s) (#) | 適合品あり |
東芝パッケージ名 | DFN 8×8 |
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外観 | |
ピン数 | 5 |
実装区分 | 表面実装 |
パッケージ寸法 幅×長さ×高さ (mm) |
8.0×8.0×0.85 |
パッケージ寸法図 | 表示 |
参考パッド寸法図 | 表示 |
詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。
項目 | 記号 | 値 | 単位 |
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ドレイン-ソース間電圧 | VDSS | 650 | V |
ゲート-ソース間電圧 | VGSS | +/-30 | V |
ドレイン電流 | ID | 28 | A |
許容損失 | PD | 230 | W |
項目 | 記号 | 測定条件 | 値 | 単位 |
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ゲートしきい値電圧 (Max) | Vth | - | 4.5 | V |
ゲートしきい値電圧 (Min) | Vth | - | 3.5 | V |
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) | RDS(ON) | |VGS|=10V | 95 | mΩ |
入力容量 (Typ.) | Ciss | - | 2880 | pF |
ゲート入力電荷量 (Typ.) | Qg | VGS=10V | 50 | nC |
逆回復時間 (Typ.) | trr | - | 115 | ns |
逆回復電荷量 (Typ.) | Qrr | - | 580 | nC |