TK125A60Z1

新製品

パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V)

  • 関連リファレンスデザイン(1)

データシート

TK125A60Z1 データシート/日本語[2024年01月]PDF: 621KB

データシート

TK125A60Z1 データシート/英語[2024年02月]PDF: 485KB

シミュレーションモデル

PSpiceモデル[2024年11月]ZIP: 44KB

シミュレーションモデル

LTspiceモデル[2024年11月]ZIP: 52KB

シミュレーションモデル

SIMetrixモデル[2024年11月]ZIP: 10KB

熱シミュレーションモデル

簡易CFDモデル[2024年08月]ZIP: 11KB

アプリケーションノート

MOSFET SPICE モデルグレード[2023年05月]PDF: 1939KB

アプリケーションノート

電気的特性: パワーMOSFET アプリケーションノート[2023年02月]PDF: 1444KB

アプリケーションノート

簡易CFDモデルアプリケーションノート[2022年11月]PDF: 1433KB

アプリケーションノート

300W 絶縁型DC-DC コンバーターの効率評価と損失分析[2021年09月]PDF: 1784KB

アプリケーションノート

パワー半導体 面実装品 熱設計リーフレット2[2020年12月]PDF: 3535KB

アプリケーションノート

モーター制御(掃除機)[2020年09月]PDF: 2253KB

アプリケーションノート

48Vバス電圧対応ハーフブリッジ型DC-DCコンバーターの効率評価[2020年09月]PDF: 1567KB

アプリケーションノート

パワーMOSFETのアバランシェエネルギー計算[2020年03月]PDF: 752KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体熱設計リーフレット[2020年02月]PDF: 1747KB

アプリケーションノート

共振回路およびソフトスイッチング[2019年11月]PDF: 1372KB

アプリケーションノート

PFC回路: パワーMOSFET アプリケーションノート[2019年11月]PDF: 1348KB

アプリケーションノート

U-MOSⅨ-H 60V低VDSスパイク製品TPH1R306P1[2019年06月]PDF: 2118KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体熱設計の勘どころ3[2019年02月]PDF: 3459KB

アプリケーションノート

MOSFET ボディダイオードの逆回復動作と破壊[2018年09月]PDF: 682KB

アプリケーションノート

MOSFET 二次降伏(S/B)[2018年09月]PDF: 706KB

アプリケーションノート

降圧コンバータRCスナバ回路[2018年09月]PDF: 1974KB

アプリケーションノート

構造と特長: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 510KB

アプリケーションノート

最大定格: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1072KB

アプリケーションノート

MOSFETの選び方及び回路設計上の注意点: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1128KB

アプリケーションノート

熱設計と放熱器への取り付け: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 946KB

アプリケーションノート

寄生発振、振動: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1492KB

アプリケーションノート

MOSFET並列接続(寄生発振): パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1314KB

アプリケーションノート

MOSFET ゲート駆動回路: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1424KB

アプリケーションノート

MOSFET dv/dt影響について: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1467KB

アプリケーションノート

MOSFET アバランシェ耐量について : パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 787KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体 熱設計の勘どころ[2018年07月]PDF: 1423KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体の温度算出方法[2018年07月]PDF: 1150KB

アプリケーションノート

MOSFETの安全動作領域のディレーティング方法[2018年07月]PDF: 648KB

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MOSFET セルフターンオン現象について[2018年07月]PDF: 1550KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体 熱設計の勘どころ2[2018年07月]PDF: 1493KB

カタログ

セレクションガイド MOSFETs 2025 Rev1.0[2025年02月]PDF: 3497KB

カタログ

ミニカタログ　車載、産業向け東芝MOSFETのご紹介[2024年04月]PDF: 1015KB

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シミュレーションモデル

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製品概要

用途 スイッチングレギュレーター
極性 N-ch
世代 DTMOSⅥ
内部接続 シングル
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

パッケージ

東芝パッケージ名 TO-220SIS
外観 TO-220SIS
JEITA SC-67
ピン数 3
実装区分 リード挿入
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)		 10.0×15.0×4.5
パッケージ寸法図 表示
SamacSys CADモデル
(シンボル/フットプリント/3Dモデル)		 SamacSysからダウンロード<br>(注1)(注2)

SamacSysからダウンロード
(注1)(注2)

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

注1

SamacSysはSupplyframe, Inc.の完全子会社です。CADモデル（シンボル/フットプリント/3Dモデル）はSupplyframe, Inc.によって提供されます。

注2

フットプリントは、各社の仕様に基づき生成され、弊社Webサイト上に掲載されている参考パッド寸法とは異なる場合がありますので、ご注意ください。

絶対最大定格

項目 記号 値 単位
ドレイン-ソース間電圧 VDSS 600 V
ゲート-ソース間電圧 VGSS +/-30 V
ドレイン電流 ID 20 A
許容損失 PD 40 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 値 単位
ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - 4.0 V
ゲートしきい値電圧 (Min) Vth - 3.0 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 125 mΩ
入力容量 (Typ.) Ciss - 1620 pF
ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg VGS=10V 28 nC
逆回復時間 (Typ.) trr - 285 ns
逆回復電荷量 (Typ.) Qrr - 3100 nC
ご購入・サンプル請求のご案内
お取引のある販売店、または、当社特約店、オンラインディストリビューターまでご相談下さい。
オンラインでの少量サンプルのご購入については、以下のボタンから検索が可能です。

ドキュメント

  • チェックボックスが無効化されているドキュメントは、一括ダウンロードの対象外です。

2024年11月

2024年11月

2024年11月

2024年08月

注1

LTspice ®はADI社（Analog Devices、Inc.）のシミュレーション・ソフトウエアおよびその登録商標です。

注2

SIMetrix®はSIMetrix Technologies Ltd.のシミュレーション・ソフトウェアおよびその登録商標です。

リファレンスデザイン

サーバー用1.6kW LLC方式AC-DCコンバーター
データセンターの消費電力抑制を目的にサーバーのバス電圧48V化が進んでいます。
本デザインは48Vサーバー向けのAC-DCコンバーターです。当社最新世代のパワーMOSFET、SiCダイオードを搭載し、AC 100V系/200V系入力からDC 54.5Vを高効率に出力します。
回路各部の設計ポイント・使用方法・各部調整方法の解説や、回路図や基板パターンの設計情報を提供しており、皆様の設計にお役立ていただけます。
詳細

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