TPM1R908QM

新製品

パワーMOSFET (N-ch 1素子 60V<VDSS≤150V)

  • 関連リファレンスデザイン(3)

データシート

TPM1R908QM データシート/日本語[2025年03月]PDF: 636KB

データシート

TPM1R908QM データシート/英語[2025年03月]PDF: 521KB

シミュレーションモデル

PSpiceモデル[2025年05月]ZIP: 42KB

シミュレーションモデル

LTspiceモデル[2025年05月]ZIP: 49KB

シミュレーションモデル

SIMetrixモデル[2025年05月]ZIP: 9KB

カタログ

セレクションガイド MOSFETs 2025 Rev1.1[2025年09月]PDF: 3987KB

データシート

TPM1R908QM データシート/日本語[2025年03月]PDF: 636KB

データシート

TPM1R908QM データシート/英語[2025年03月]PDF: 521KB

シミュレーションモデル

PSpiceモデル[2025年05月]ZIP: 42KB

シミュレーションモデル

LTspiceモデル[2025年05月]ZIP: 49KB

シミュレーションモデル

SIMetrixモデル[2025年05月]ZIP: 9KB

カタログ

セレクションガイド MOSFETs 2025 Rev1.1[2025年09月]PDF: 3987KB

製品概要

用途 高効率DC-DCコンバーター / スイッチングレギュレーター / モータードライブ
極性 N-ch
世代 U-MOSⅩ-H
内部接続 シングル
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

パッケージ

東芝パッケージ名 SOP Advance(E)
外観 東芝 TPM1R908QM パワーMOSFET (N-ch 1素子 60V&lt;VDSS&le;150V)製品のSOP Advance(E)パッケージ画像
ピン数 8
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)		 4.9×6.1×1.0
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示
SamacSys CADモデル
(シンボル/フットプリント/3Dモデル)		 SamacSysからダウンロード<br>(注1)(注2)

SamacSysからダウンロード
(注1)(注2)

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

注1

SamacSysはSupplyframe, Inc.の完全子会社です。CADモデル（シンボル/フットプリント/3Dモデル）はSupplyframe, Inc.によって提供されます。

注2

フットプリントは、各社の仕様に基づき生成され、弊社Webサイト上に掲載されている参考パッド寸法とは異なる場合がありますので、ご注意ください。

絶対最大定格

項目 記号 値 単位
ドレイン-ソース間電圧 VDSS 80 V
ゲート-ソース間電圧 VGSS +/-20 V
ドレイン電流 ID 238 A
許容損失 PD 250 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 値 単位
ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - 3.5 V
ゲートしきい値電圧 (Min) Vth - 2.5 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=6V 2.8 mΩ
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 1.9 mΩ
入力容量 (Typ.) Ciss - 7360 pF
ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg VGS=10V 108 nC
出力電荷量 (Typ.) Qoss - 111 nC
逆回復時間 (Typ.) trr - 57 ns
逆回復電荷量 (Typ.) Qrr - 71 nC
ご購入・サンプル請求のご案内
お取引のある販売店、または、当社特約店、オンラインディストリビューターまでご相談下さい。
オンラインでの少量サンプルのご購入については、以下のボタンから検索が可能です。

ドキュメント

  • チェックボックスが無効化されているドキュメントは、一括ダウンロードの対象外です。

2025年05月

2025年05月

2025年05月

注1

LTspice ®はADI社（Analog Devices、Inc.）のシミュレーション・ソフトウエアおよびその登録商標です。

注2

SIMetrix®はSIMetrix Technologies Ltd.のシミュレーション・ソフトウェアおよびその登録商標です。

リファレンスデザイン

面実装SiC MOSFET搭載サーバー・テレコム用3kW電源
近年、データセンターの大規模化・高密度化が進んでいます。これにより、サーバー向け電源には高効率化、高電力化、省スペース化が求められるようになり、高電力密度化が必要不可欠になっています。当社最新の面実装SiCデバイスを採用することで、メイン基板と分離した形で子基板化することで電源の高電力密度化を実現しています。サーバー用途以外にも48Vを使用する通信系アプリケーションなどへの応用が可能です。
回路各部の設計ポイント・使用方法・各部調整方法の解説や、回路図や基板パターンの設計情報を提供しており、皆様の設計にお役立ていただけます。
詳細
面実装SiC MOSFET搭載 AIサーバー用3kW電源
生成AIの急速な普及により、高い演算性能をもつAIサーバーの需要が高まっています。本デザインは、多くの電力を必要とするAIサーバー向けの3kW電源です。当社面実装SiC MOSFETを搭載し、高電力密度化を実現しています。
回路各部の設計ポイント・使用方法・各部調整方法の解説や、回路図や基板パターンの設計情報を提供しており、皆様の設計にお役立ていただけます。
詳細
電動二輪車用急速充電器向けSiC MOSFET搭載3kW電源
近年、カーボンニュートラルの観点から電動二輪車の人気が高まり、バッテリーの急速充電が求められています。本リファレンスデザインは電動二輪車の急速充電器向け3kW電源です。
回路各部の設計ポイント・使用方法・各部調整方法の解説や、回路図や基板パターンの設計情報を提供しており、皆様の設計にお役立ていただけます。
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