リファレンスデザインセンター

高効率な開発設計アプローチとして、デバイス選択と回路の最適解をベースにした汎用性の高いリファレンスデザインが利用されるケースが増えています。
ここでは、機器設計を迅速に進めるための参考回路として回路図だけでなくパターン図、ガーバーデーター、サンプルソフトなどを提供しています。
リファレンスデザインを活用することで流用設計であったりターンキー開発が可能となり、設計の省力化をサポートしますので、ぜひご活用ください。

全ファイルリスト(101件)

  • アイソレーター/ソリッドステートリレー(SSR)
  • MOSFET
  • ダイオード
  • サーバー
  • 最新世代パワー素子 (SiC MOSFET、SiCダイオード)、デジタルアイソレーターをトータルで提案
  • 面実装素子採用により高電力密度を実現 (当社既存デザイン比34%向上)
  • 変換効率:94.8% (Vin = 230V、100%負荷)
2025年09月
  • アイソレーター/ソリッドステートリレー(SSR)
  • MOSFET
  • ダイオード
  • 最新世代パワー素子 (SiC MOSFET、SiCダイオード)、デジタルアイソレーターをトータルで提案
  • 面実装素子採用により高電力密度を実現 (当社既存デザイン比34%向上)
  • 変換効率:94.8% (Vin = 230V、100%負荷)
2025年09月
  • MOSFET
  • アイソレーター/ソリッドステートリレー(SSR)
  • サーバー
  • 80 PLUS Platinum級の高効率 (Vin = 230V時) を1Uサイズで実現
  • 変換効率:93.1% (Vin = 230V、100%負荷)
  • 外形サイズ:315mm x 205mm x 43mm (基板下部の金属板を含む)
  • 最新世代パワーMOSFET、デジタルアイソレーターをトータルで提案
2025年09月
  • アイソレーター/ソリッドステートリレー(SSR)
  • MOSFET
  • ダイオード
  • サーバー
  • 最新世代パワー素子 (SiC MOSFET、SiCダイオード)、デジタルアイソレーターをトータルで提案
  • 面実装素子採用により高電力密度を実現 (当社既存デザイン比34%向上)
  • 変換効率:94.8% (Vin = 230V、100%負荷)
2025年09月
  • MOSFET
  • アイソレーター/ソリッドステートリレー(SSR)
  • 最新世代パワーSiC MOSFET搭載
  • 3相トーテムポール構成でDC 750Vを10kWまで供給可能
  • 変換効率:97.9% (Vin = 400V、100%負荷)
2025年06月
  • マイクロコントローラー
  • MOSFET
  • ダイオード
  • サーバー
  • 80 PLUS Titanium級の高効率 (Vin = 230V時) を1Uサイズで実現
  • 変換効率:96.7% (Vin = 230V、100%負荷)
  • 外形サイズ:317mm x 145mm x 43mm (基板下部の金属板を含む)
  • 最新世代パワー素子 (MOSFET、SiCダイオード) をトータルで提案
2025年03月
  • アイソレーター/ソリッドステートリレー(SSR)
  • MOSFET
  • ダイオード
  • 3相3レベルのAC-DCコンバーター回路
  • 変換効率98.7% (Vin=440V、100%負荷)
  • 最新世代パワー素子 (MOSFET、SiCダイオード)、ゲートドライバーカプラー、アイソレーションアンプをトータルで提案
2025年03月
  • MOSFET
  • インテリジェントパワーIC
  • DC-DCコンバーター回路
  • 48Vから12Vへの降圧、12Vから48Vへの昇圧の双方向コンバーター
  • 変換効率92.2% (昇圧動作、Vin = 12V、100%負荷)
  • 変換効率91.3% (降圧動作、Vin = 48V、100%負荷)
  • 入出力回路、各種保護機能内蔵
  • 最新世代パワーMOSFET、インテリジェントパワーデバイス搭載
2025年02月
  • MOSFET
  • モータードライバー
  • リニアーIC
  • コードレス電動工具
  • さまざまな入力モードに対応
  • 3シャント構成と1シャント構成可能
  • 過電流検出機能
  • 小型パッケージ MOSFET 採用
  • 基板サイズ:55 mm x 55 mm
2025年02月
  • IoTセンサー
  • スマートプラグ
  • ワイヤレスチャージャー
  • アクションカメラ
  • ワイヤレスイヤホン
  • ソリッドステートドライブ
  • タブレットデバイス
  • スマートスピーカー
  • スマートウォッチ
  • 小型パッケージDFN4D (1.0 x 1.0 x 0.37㎜)
  • モバイル機器など向けに最適
  • スタンダードタイプ・低ドロップアウト電圧タイプ・低消費電流タイプの3シリーズをラインアップ
2024年10月
  • バイポーラートランジスター
  • ダイオード
  • 車載用デバイス
  • MOSFET
  • パワースライドドア
  • 車載用ブラシ付きDCモーター制御回路
  • Half-bridgeモードとH-bridgeモードを選択可能
  • 自動車のドア、窓のクロージャーモーター等に使用可能
  • 基板サイズ:75mm x 75mm
2024年10月
  • MOSFET
  • アイソレーター/ソリッドステートリレー(SSR)
  • メガソーラーインバーター
  • 汎用インバーター/サーボ
  • 3相インバーター用各種保護機能搭載絶縁ゲートドライバー
  • 7in1パワーモジュールのゲート駆動を小型基板で実現
2024年10月
  • アイソレーター/ソリッドステートリレー(SSR)
  • MOSFET
  • バイポーラートランジスター
  • パワーマネージメントIC
  • メガソーラーインバーター
  • 汎用インバーター/サーボ
  • 大電流 / 高電圧SiC MOSFETモジュール用各種保護機能搭載絶縁ゲートドライバー
  • 当社SiC MOSFETモジュール (MG400V2YMS3, MG600Q2YMS3, MG250YD2YMS3) との組み合わせを想定した定数設定
  • 当社SiC MOSFETモジュールと同等サイズで実現
2024年07月
  • ダイオード
  • 汎用ロジックIC
  • バイポーラートランジスター
  • パワーマネージメントIC
  • リニアーIC
  • MOSFET
  • ソリッドステートドライブ
  • タブレットデバイス
  • サーバー
  • eFuse ICの多彩な保護動作に加え、高精度な過電流遮断ソリューションを提案
  • 2 × 2cmの小型基板に搭載
2024年06月
  • ダイオード
  • 汎用ロジックIC
  • バイポーラートランジスター
  • パワーマネージメントIC
  • リニアーIC
  • MOSFET
  • ソリッドステートドライブ
  • タブレットデバイス
  • サーバー
  • eFuse ICの多彩な保護動作に加え、簡単な過熱保護ソリューションを提案
  • 複数のPTCサーミスターと組み合わせ可能
  • 2 × 2cmの小型基板に搭載
2024年06月
  • マイクロコントローラー
  • インテリジェントパワーIC
  • エアコン
  • 空気清浄機
  • センサーレスベクトル制御, 3シャント構成と1シャント構成に対応
  • 外形サイズ:130 mm x 85 mm x 53.4 mm
  • コンパクトなインテリジェントパワーICとベクトル制御に対応したモーター制御MCUによるシンプルな構成
2024年04月
  • MOSFET
  • 車載用デバイス
  • HVAC
  • 電動ポンプ
  • ベクトルエンジン内蔵MCUや各種周辺回路を集積したSmartMCD™ により小型システムを実現
  • 内蔵MCUによる3相ブラシレスモーターのセンサーレスベクトル制御
  • 外形サイズ:130 mm x 73 mm
  • 大電流モーター駆動用にメイン基板に重ねて使用可能な外部インバーター基板を用意
2024年03月
  • MOSFET
  • サーバー
  • 48 Vバスラインから高効率で1.2 V/100 Aを供給
  • 変換効率83 % (Vin = 50 V, 100 %負荷)
  • 外形サイズ:198 mm x 151 mm
  • 最新世代パワーMOSFETをトータルで提案
2024年02月
  • アイソレーター/ソリッドステートリレー(SSR)
  • MOSFET
  • ダイオード
  • サーバー
  • 最新世代素子搭載により既存電源比高効率を実現
  • 高効率・高出力電源を1Uサイズで実現
  • 変換効率95.4 % (Vin = 230 V, 50 %負荷)
  • 外形サイズ:307 mm x 135 mm x 43 mm (基板下部の金属板、ヒートシンク天板含む)
  • 最新世代パワー素子 (MOSFET、SiCダイオード)、デジタルアイソレーターをトータルで提案
2024年02月
  • IGBT/IEGT
  • インテリジェントパワーIC
  • ダイオード
  • マイクロコントローラー
  • MOSFET
  • アイソレーター/ソリッドステートリレー(SSR)
  • リニアーIC
  • エアコン
  • AC200 V系入力のエアコン室外機向け制御回路
  • 一つのMCUでモーター2系統とPFC回路を制御
  • 外形サイズ:160 mm x 220 mm
  • MCUに加え、最適なパワー素子 (IGBT、パワーMOSFET、インテリジェントパワーデバイス、SiCショットキーバリアダイオード) をトータルで提案
2023年12月
  • モータードライバー
  • パワーマネージメントIC
  • MOSFET
  • コードレス電動工具
  • ロボットクリーナー
  • コードレス掃除機
  • センサーレス正弦波ブラシレスモーター駆動回路
  • 外形サイズ:90 mm x 50 mm
  • GUIを用いて簡単にモータードライバーICの設定が可能
2023年12月
  • ダイオード
  • 汎用ロジックIC
  • バイポーラートランジスター
  • パワーマネージメントIC
  • リニアーIC
  • MOSFET
  • スマートウォッチ
  • タブレットデバイス
  • アクションカメラ
  • 2 × 2 cmの小型基板搭載、2入力1出力のパワーマルチプレクサ回路
  • コモンドレインMOSFET (SSM10N961L) を活用
  • USBパワーデリバリー、急速充電、ワイヤレス給電など多彩な電源系統の切り替えに対応
  • MBB (Make-Before-Break), BBM (Break-Before-Make) 動作切り替え可能
  • 入力電圧は20 V系と9 V系を切り替え、出力電流は最大3 A
2023年11月
  • マイクロコントローラー
  • インテリジェントパワーIC
  • エアコン
  • 空気清浄機
  • センサーレスベクトル制御, 3シャント構成と1シャント構成に対応
  • 外形サイズ:130 mm x 85 mm x 53.4 mm
  • コンパクトなインテリジェントパワーICとベクトル制御に対応したモーター制御MCUによるシンプルな構成
2023年10月
  • MOSFET
  • リニアーIC
  • ソリッドステートドライブ
  • タブレットデバイス
  • サーバー
  • 簡単な過熱検出ソリューション
  • 外形サイズ:85 mm x 54 mm
  • 複数のPTCサーミスターと組み合わせ可能
2023年09月
  • アイソレーター/ソリッドステートリレー(SSR)
  • リニアーIC
  • 汎用ロジックIC
  • MOSFET
  • パワーマネージメントIC
  • サーバー
  • 無停電電源装置
  • LED照明
  • 1200 V SiC MOSFETを使用しAC 440 Vモーターを駆動
  • 外形サイズ:250 mm x 145 mm (インバーター基板)
  • 最適なSiC MOSFET、フォトカプラー、オペアンプなどをトータルで提案
2023年08月
  • マイクロコントローラー
  • インテリジェントパワーIC
  • エアコン
  • 空気清浄機
  • センサーレスベクトル制御, 3シャント構成と1シャント構成に対応
  • 外形サイズ:130 mm x 85 mm x 53.4 mm
  • コンパクトなインテリジェントパワーICとベクトル制御に対応したモーター制御MCUによるシンプルな構成
2023年08月
  • インテリジェントパワーIC
  • MOSFET
  • ダイオード
  • IVI(車載インフォテインメント)
  • USB給電
  • DC-DCコンバーター回路
  • 変換効率(Option 1):最大 96.4 % (Vin = 10.5 V、 Vout = 15 V、 Power = 45 W)
  • 変換効率(Option 2):最大 95.5 % (Vin = 10.5 V、 Vout = 15 V、 Power = 45 W)
  • 外形サイズ:90 mm x 40 mm
  • 各種MOSFETで提案
2023年05月
  • MOSFET
  • リニアーIC
  • ソリッドステートドライブ
  • タブレットデバイス
  • サーバー
  • 簡単な過熱検出ソリューション
  • 外形サイズ:85 mm x 54 mm
  • 複数のPTCサーミスターと組み合わせ可能
2023年05月
  • リニアーIC
  • MOSFET
  • アイソレーター/ソリッドステートリレー(SSR)
  • パワーマネージメントIC
  • 無停電電源装置
  • 汎用インバーター/サーボ
  • 150 V MOSFETを使用しAC 200 Vモーターを駆動
  • 外形サイズ:240 mm x 150 mm
  • 最適なパワーMOSFET、フォトカプラをトータルで提案
2023年03月
  • MOSFET
  • サーバー
  • 変換効率:94.9 % (Vin = -48 V, Vout= 54 V, Pout = 1 kW)
  • 外形サイズ:150 mm x 150 mm
  • 高速ダイオードを内蔵したパワーMOSFETによる高効率な同期整流
2023年03月
  • リニアーIC
  • MOSFET
  • ダイオード
  • パワーマネージメントIC
  • 電子レンジ
  • 低消費電力オペアンプTC75S102F搭載 (IDD = 0.27 μA (Typ.))
  • 光・圧力・音センサー回路応用
  • 電気二重層コンデンサ—で長時間駆動
  • 各種IoT機器向けセンサー信号に最適
  • 外形サイズ:85 mm × 55 mm
2022年11月
  • MOSFET
  • ダイオード
  • サーバー
  • 無停電電源装置
  • 汎用インバーター/サーボ
  • 変換効率:97.3 % (Vin = 230 V、100 %負荷)
  • 外形サイズ:335 mm × 165 mm
  • 最適なパワーMOSFET、ダイオードをトータルで提案
2022年08月
  • マイクロコントローラー
  • インテリジェントパワーIC
  • エアコン
  • 空気清浄機
  • センサーレスベクトル制御, 3シャント構成と1シャント構成に対応
  • 外形サイズ:130 mm × 85 mm × 53.4 mm
  • 最適なインテリジェントパワーIC、ベクトル制御に対応したモーター制御MCUを使用
2022年08月
  • ダイオード
  • 汎用ロジックIC
  • バイポーラートランジスター
  • パワーマネージメントIC
  • リニアーIC
  • MOSFET
  • IoTセンサー
  • ロボットクリーナー
  • ワイヤレスイヤホン
  • アクションカメラ
  • タブレットデバイス
  • ワイヤレスチャージャー
  • スマートスピーカー
  • スマートウォッチ
  • 2 × 2 cmの小型基板搭載、2入力1出力のパワーマルチプレクサ回路
  • 入力電圧は5 V系から24 V系、出力電流は最大5 Aまで、5種類のリファレンス回路をラインアップ
  • USBパワーデリバリー、急速充電、ワイヤレス給電など多彩な電源系統の切り替えに対応
  • MBB (Make-Before-Break), BBM (Break-Before-Make) 動作切り替え可能
  • 理想ダイオード特性を実現
2022年05月
  • MOSFET
  • プログラマブルロジックコントローラー(PLC)
  • サーバー
  • マルチファンクションプリンター
  • 変換効率:88 % (Vin = 24 V、100 %負荷)
  • 外形サイズ:110 mm x 110 mm x 35 mm (裏面入出力端子を除く)
  • 最適なパワーMOSFET、フォトカプラーをトータルで提案
2022年02月
  • IGBT/IEGT
  • 最大出力:2000 W
  • 外形サイズ:205 mm x 110 mm
  • 最適なIGBT搭載により低EMIを実現
2022年02月
  • MOSFET
  • プログラマブルロジックコントローラー(PLC)
  • サーバー
  • マルチファンクションプリンター
  • 変換効率:90.8 % (Vin = 48 V、100 %負荷)
  • 外形サイズ:130 mm x 115 mm x 30 mm (裏面入出力端子を除く)
  • 最適なパワーMOSFET、フォトカプラーをトータルで提案
2021年11月
  • MOSFET
  • スマートスピーカー
  • タブレットデバイス
  • ロボットクリーナー
  • ワイヤレスチャージャー
  • ワイヤレスイヤホン
  • 同期整流方式を採用した非絶縁型降圧DC-DCコンバーター
  • 出力電圧、出力電流が異なる8種類の電源回路
  • 各電源条件に3つの回路バリエーション
2021年11月
  • バイポーラートランジスター
  • ダイオード
  • 車載用デバイス
  • インテリジェントパワーIC
  • MOSFET
  • 独立点灯制御可能なマトリックスLEDヘッドライト
  • 小さな実装面積
  • MOSFET、ゲートドライバー、整流用ダイオード 、ツェナーダイオードをトータルで提案
2021年09月
  • アイソレーター/ソリッドステートリレー(SSR)
  • IGBT非飽和検出
  • フォルト信号フィードバック
  • ソフトIGBTターンオフ
  • アクティブ・ミラークランプ
  • 低電圧ロックアウト(UVLO)
2021年09月
  • MOSFET
  • アイソレーター/ソリッドステートリレー(SSR)
  • TOLLパッケージMOSFET採用により小型化を実現
  • 高効率1Uサイズ電源
  • 変換効率:93.2 % (Vin = 230V、100 %負荷)
  • 外形サイズ:192 mm x 135 mm x 40 mm
  • 最適なパワーMOSFET 、フォトカプラーをトータルで提案
2021年08月
  • MOSFET
  • アイソレーター/ソリッドステートリレー(SSR)
  • 高効率でコンパクトな電源
  • 変換効率:90 % (Vin = 230 V、100 %負荷)
  • 外形サイズ:180 mm x 57 mm x 40 mm
  • 最適なパワー素子 (MOSFET) 、フォトカプラーをトータルで提案
2021年08月
  • MOSFET
  • アイソレーター/ソリッドステートリレー(SSR)
  • 高効率、高出力電源
  • 変換効率:94.7 % (Vin = -54 V、100 %負荷)
  • 外形サイズ:207 mm x 120 mm x 45 mm
  • 最適なパワー素子 (MOSFET) 、フォトカプラーをトータルで提案
2021年05月
  • アイソレーター/ソリッドステートリレー(SSR)
  • MOSFET
  • ダイオード
  • 高効率・高出力電源を1Uサイズで実現
  • 48 V出力
  • 変換効率:94.6 % (Vin = 230V、100 %負荷)
  • 外形サイズ:318 mm x 127 mm x 43 mm (基板下部の金属板、ヒートシンクを含む)
  • 最適なパワー素子 (MOSFET、SiCダイオード) 、フォトカプラーをトータルで提案
2021年03月
  • MOSFET
  • インテリジェントパワーIC
  • 電子制御サスペンション
  • ISG (Integrated Starter Generator)
  • ブレーキ制御
  • オンボードチャージャー
  • V2X
  • TPD7106FとパワーMOSFET TKR74F04PBを6個使用した半導体リレー駆動回路
  • 自動車用バッテリーの逆接続を想定した電源逆接続
  • 入力電圧:12V
  • 最大負荷電流:200 A
  • チャージポンプ回路内蔵
2021年03月
  • MOSFET
  • モータードライバー
  • マイクロコントローラー
  • ファンの形状に合わせて、基板をドーナツ型に設計
  • ファンモーター駆動用MOSFET、ブラシレスDCモーター用プリドライバーIC TC78B027FTGおよび制御用マイコンを基板上に搭載
  • コンパクトな基板サイズ(直径40mm、4層基板)
2021年01月
  • モータードライバー
  • インテリジェントパワーIC
  • ファンの形状に合わせて、基板をドーナツ型に設計
  • ブラシレスDCモーターコントローラーIC TC78B041FNGおよび高電圧モータードライバーIC TPD4204Fを基板上に搭載
  • IC内にレギュレーター回路、保護機能、検出機能を内蔵しており、周辺回路設計の省力化が可能
2020年12月
  • MOSFET
  • インテリジェントパワーIC
  • TPD7212F/FNとパワーMOSFET TPW1R104PBを使用したHブリッジDCモーター駆動回路
  • 車載向けTPD7104AFとパワーMOSFET TPW1R104PBを使用した各種保護回路
  • 入力電圧:12V
  • 過電流保護機能
  • 電源逆接続保護機能
  • 出力停止機能
  • 出力電圧監視機能
  • チャージポンプ回路電圧監視機能
2020年10月
  • 低いドロップアウト
  • 優れた負荷過渡応答
  • 高リップル圧縮度
2020年10月
  • 低いドロップアウト
  • 優れた負荷過渡応答
  • 高リップル圧縮度
2020年10月
  • 低いドロップアウト
  • 優れた負荷過渡応答
  • 高リップル圧縮度
2020年10月
  • リニアーIC
  • 超低ノイズレベル
  • 2Aまで計測可能
  • 小さい基板サイズ
2020年10月
  • モータードライバー
  • 汎用モータードライバーIC TB67H450FNGを搭載した「DIY三輪車」の製作ガイド
  • 駆動輪(左右)用モーターを個別に制御することにより、様々なパターンの動作を実現
  • 制御用マイコン基板にArduino Nanoを使用
2020年10月
  • MOSFET
  • インテリジェントパワーIC
  • ISG (Integrated Starter Generator)
  • ラジエーターファン
  • 電子制御サスペンション
  • USB給電
  • TPD7212F/FNとパワーMOSFET TPW1R104PBを使用した三相BLDCモーター駆動回路
  • 車載向けTPD7104AFとパワーMOSFET TPW1R104PBを使用した各種保護回路
  • 入力電圧:12V
  • 過電流保護機能
  • 電源逆接続保護機能
  • 出力停止機能
  • 出力電圧監視機能
  • チャージポンプ回路電圧監視機能
2020年09月
  • MOSFET
  • インテリジェントパワーIC
  • 高圧大電流ピンと制御ピンをパッケージの両側に分離
  • ブートストラップ方式によりハイサイド駆動回路電源が不要
  • ブートストラップダイオードを内蔵
  • PWM回路、三相分配回路を内蔵
  • 回転パルス出力 1パルスと3パルス選択可能
  • IGBTによる三相フルブリッジを内蔵
  • FRDを内蔵
  • 電流制限/過電流保護、過熱保護、減電圧保護機能を内蔵
  • ホールアンプ内蔵、ホールIC入力にも対応可能
  • 小型パッケージ: HSSOP31 (11.93 mm × 17.5 mm × 2.2 mm)
2020年05月
  • モータードライバー
  • FETドライブボードは、実装できるMOSFETが基板の表面と裏面で異なっており、2種類のMOSFETパッケージ(表面:TSON Advance、裏面:UDFN6B)に対応
    (TSON Advance:TPN11003NL/TPN8R903NL 等、UDFN6B:SSM6K513NU/SSM6K504NU 等)
  • FETドライブボードは、MOSFET 6個とライトアングルコネクター部品を基板に実装するだけで、TC78B009FTG/TC78B027FTGの評価ボードに接続が可能
2020年05月
  • MOSFET
  • シミュレーション回路、素子モデルを一括提供
  • 電源仕様、使用素子等自由に編集可能
  • 電源仕様、回路パラメータをOrCAD®画面上で設定可能
2020年05月
  • MOSFET
  • シミュレーション回路、素子モデルを一括提供
  • 電源仕様、使用素子等自由に編集可能
  • 電源仕様、回路パラメータをOrCAD®画面上で設定可能
2020年05月
  • MOSFET
  • シミュレーション回路、素子モデルを一括提供
  • 電源仕様、使用素子等自由に編集可能
  • 電源仕様、回路パラメータをOrCAD®画面上で設定可能
2020年05月
  • MOSFET
  • シミュレーション回路、素子モデルを一括提供
  • 電源仕様、使用素子等自由に編集可能
  • 電源仕様、回路パラメータをOrCAD®画面上で設定可能
2020年05月
  • リニアーIC
  • パワーマネージメントIC
  • ダイオード
  • 超低ノイズレベル
  • 6mまで計測可能
  • 小さい基板サイズ
2020年04月
  • リニアーIC
  • 人感センサー
  • 超低ノイズレベル
  • 7mまで検知可能
  • 小さい基板サイズ
2020年04月
  • リニアーIC
  • 超低ノイズレベル
  • 直接人体に装着可能な応用
  • 小さい基板サイズ
2019年11月
  • パワーマネージメントIC
  • MOSFET
  • 高耐圧入力電圧: VIN (最大) = 18 V
  • 高出力電流: IOUT(DC) = 5.0 A
  • 低オン抵抗 : RON = 28 mΩ(標準)
  • 動作電流を調整可能な過電流保護機能内蔵 : 5.0 A(最大)
  • 固定過電圧クランプ回路内蔵
  • 突入電流抑制のための外付け容量によるスルーレート調整回路内蔵
  • 外付け抵抗により調整可能な低電圧誤動作防止回路内蔵
  • 内蔵のMOSFETドライバーによりOFF時逆流防止機能をサポート
  • 過熱保護回路内蔵
  • オートディスチャージ機能内蔵
  • 小型パッケージ: WSON10B (3.0 mm x 3.0 mm, t: 0.7 mm (標準))
2019年11月
  • MOSFET
  • シミュレーション回路、素子モデルを一括提供
  • 電源仕様、使用素子等自由に編集可能
  • 電源仕様、回路パラメータをOrCAD®画面上で設定可能
2019年09月
  • MOSFET
  • シミュレーション回路、素子モデルを一括提供
  • 電源仕様、使用素子等自由に編集可能
  • 電源仕様、回路パラメータをOrCAD®画面上で設定可能
2019年08月
  • MOSFET
  • シミュレーション回路、素子モデルを一括提供
  • 電源仕様、使用素子等自由に編集可能
  • 電源仕様、回路パラメータをOrCAD®画面上で設定可能
2019年08月
  • MOSFET
  • アイソレーター/ソリッドステートリレー(SSR)
  • メカリレーに比べ、半導体リレーは、長寿命・高信頼性・静粛性を実現
  • フォトボルカプラー:TLP3906
  • MOSFET:TPH1R306PL
2019年06月
  • アイソレーター/ソリッドステートリレー(SSR)
  • マイクロコントローラー
  • インテリジェントパワーIC
  • 冷蔵庫
  • TPD4207FとTMPM4K0FSADUGを組み合わせることで、ベクトル制御によるコンプレッサモータ(BLDC)のセンサレス駆動を高効率に実現
  • 低オン抵抗(0.44Ω(typ))MOSFET搭載により電流定格アップ(5A)を実現し、起動時の電流が大きいコンプレッサモータへの応用を可能に
  • レギュレータ回路、電流制限回路、減電圧保護機能を内蔵し、周辺回路の設計省力化に貢献
2019年01月
  • アイソレーター/ソリッドステートリレー(SSR)
  • MOSFET
  • ダイオード
  • 変換効率:92.8%(Vin=54.5V、30%負荷)
  • 外形サイズ:160mm x 100mm x 30mm
  • 最適なパワーMOSFET、フォトカプラをトータルで提案
2018年12月
  • MOSFET
  • シミュレーション回路、素子モデルを一括提供
  • 電源仕様、使用素子等自由に編集可能
  • 電源仕様、回路パラメータをOrCAD®画面上で設定可能
2018年11月
  • MOSFET
  • シミュレーション回路、素子モデルを一括提供
  • 電源仕様、使用素子等自由に編集可能
  • 電源仕様、回路パラメータをOrCAD®画面上で設定可能
2018年10月
  • コードレス電動工具
  • ワイヤレスチャージャー
  • スマートウォッチ
  • 電気シェーバー
  • ワイヤレスイヤホン
  • 無停電電源装置
  • ロボットクリーナー
  • アクションカメラ
  • 洗濯機
  • スマートプラグ
  • タブレットデバイス
  • LED照明
  • サーモスタット
  • 冷蔵庫
  • ソリッドステートドライブ
  • 電動歯ブラシ
  • 監視カメラ
  • IoTセンサー
  • 超小型パッケージ WCSP4F (0.645 mm x 0.645 mm (標準) , t 0.33 mm (最大))
  • 低バイアス電流 IB = 0.34 μA (1.5V以下出力品、標準) @IOUT = 0 mA
  • 幅広い出力電圧に対応可能 (VOUT = 0.8 V~ 5.0 V )
  • 高リップル圧縮度 R.R = 70 dB (0.8V出力品、標準) @1kHz
  • 高速負荷過渡応答  ±60 mV (0.8V出力品、標準)@1 mA⇔50 mA, COUT = 1 μF
  • 低ドロップアウト電圧 VDO = VIN - VOUT = 155 mV (3.3V出力品、標準) @IOUT = 300 mA
  • 過電流保護機能
  • 過熱保護機能
  • オートディスチャージ機能内蔵(TCR3UGxxAシリーズ)/ オートディスチャージ機能なし(TCR3UGxxBシリーズ)
  • 突入電流抑制機能(出力電圧ソフトスタート機能)
2018年10月
  • MOSFET
  • シミュレーション回路、素子モデルを一括提供
  • 電源仕様、使用素子等自由に編集可能
  • 電源仕様、回路パラメータをOrCAD®画面上で設定可能
2018年09月
  • コードレス電動工具
  • ワイヤレスチャージャー
  • スマートウォッチ
  • 電気シェーバー
  • ワイヤレスイヤホン
  • 無停電電源装置
  • ロボットクリーナー
  • アクションカメラ
  • 洗濯機
  • スマートプラグ
  • タブレットデバイス
  • LED照明
  • サーモスタット
  • 冷蔵庫
  • ソリッドステートドライブ
  • 電動歯ブラシ
  • 監視カメラ
  • IoTセンサー
  • 超小型パッケージ WCSP6F (0.8 mm x 1.2 mm; t 0.33 mm (最大))
  • 幅広い出力電圧に対応可能 (0.65 V ~ 3.6 V)
  • 負荷過渡応答  -100 / +115 mV (標準)@ 0.01 A⇔1.5 A, COUT = 4.7 μF
  • 高リップル圧縮度 R.R = 95 dB (標準) @1kHz
  • 過電流保護機能
  • 過熱保護機能
  • オートディスチャージ機能
  • 突入電流抑制機能(出力電圧ソフトスタート機能)
  • 低電圧誤動作防止機能(0.5V(標準)で動作)
2018年09月
  • アイソレーター/ソリッドステートリレー(SSR)
  • MOSFET
  • ダイオード
  • 変換効率:94.5%(Vin=48V、100%負荷)
  • 外形サイズ:82mm x 82mm x 24mm
  • 最適なパワーMOSFET、フォトカプラをトータルで提案
2018年08月
  • MOSFET
  • ダイオード
  • エアコン
  • シミュレーション回路、素子モデルを一括提供
  • 電源仕様、使用素子等自由に編集可能
  • 電源仕様、回路パラメータをOrCAD®画面上で設定可能
2018年08月
  • MOSFET
  • ダイオード
  • エアコン
  • シミュレーション回路、素子モデルを一括提供
  • 電源仕様、使用素子等自由に編集可能
  • 電源仕様、回路パラメータをOrCAD®画面上で設定可能
2018年08月
  • MOSFET
  • ダイオード
  • エアコン
  • シミュレーション回路、素子モデルを一括提供
  • 電源仕様、使用素子等自由に編集可能
  • 電源仕様、回路パラメータをOrCAD®画面上で設定可能
2018年08月
  • アイソレーター/ソリッドステートリレー(SSR)
  • IGBT/IEGT
  • IGBTの過電流保護に関連する機能を内蔵した4.0A出力のゲート駆動用フォトカプラ
  • IGBT非飽和検出機能、アクティブミラークランプ機能、FAULT信号フィードバック機能を内蔵
  • 周辺回路設計の省力化、部品点数・実装面積削減に貢献
  • 動作温度範囲:-40~110℃
  • 絶縁耐圧:5000Vrms(最小)
2018年08月
  • MOSFET
  • アイソレーター/ソリッドステートリレー(SSR)
  • 変換効率:93.5%(Vin=230V、100%負荷)
  • 外形サイズ:225mm x 120mm x 65mm(基板下部の金属板、ヒートシンク含む)
  • 最適なパワーMOSFET、フォトカプラをトータルで提案
2018年07月
  • エアコン
  • PWM回路、三相分配回路、ハイサイド/ローサイドドライバ、出力IGBT・FRDを内蔵し、外付けPWMコントローラICなしで、直接ブラシレスDCモータを駆動可能
  • 最大定格600VのIGBT・FRDを搭載し、AC200V系入力アプリケーションへの適用が可能
  • 過熱保護回路、減電圧保護回路の各種保護回路を内蔵し、周辺回路設計の省力化に貢献
2018年07月
  • モータードライバー
  • リニアーIC
  • 3相ブラシレスDCモータードライバTB6605FTGを搭載したモーター制御クローズドループシステムを提供。
  • 本ボードはArduino UNO用のプラグインボード(シールド)として設計。
2018年07月
  • コードレス電動工具
  • エアコン
  • TPD4204FとTB6634FNGを組み合わせることで、ブラシレスDCモータの正弦波駆動を高効率に実現
  • 最大定格600VのMOSFETを搭載し、電源品質の不安定な地域のAC200V系入力アプリケーションへの適用が可能
  • レギュレータ回路、電流制限回路、減電圧保護機能を内蔵し、周辺回路の設計省力化に貢献
2018年07月
  • コードレス電動工具
  • エアコン
  • TPD4206FとTB6634FNGを組み合わせることで、ブラシレスDCモータの正弦波駆動を高効率に実現
  • 最大定格500VのMOSFETを搭載し、電源品質の安定な地域のAC200V系入力アプリケーション向けに最適
  • レギュレータ回路、電流制限回路、減電圧保護機能を内蔵し、周辺回路の設計省力化に貢献
2018年07月
  • PWM回路、三相分配回路、ハイサイド/ローサイドドライバ、出力IGBT・FRDを内蔵し、外付けPWMコントローラICなしで、直接ブラシレスDCモータを駆動可能
  • 最大定格250VのIGBT・FRDを搭載し、AC100V系入力アプリケーション向けに最適
  • 過熱保護回路、減電圧保護回路の各種保護回路を内蔵し、周辺回路設計の省力化に貢献
2018年07月
  • パワーマネージメントIC
  • MOSFET
  • 入力電圧範囲: 2.7 ~ 28 V
  • オートディスチャージ機能内蔵
  • チャージポンプ回路内蔵
  • 突入電流抑制回路内蔵
  • 過電圧保護回路内蔵 ( 28 V 以上 )
  • 低電圧誤動作防止回路内蔵 ( 2.7 V 以下 )
  • 外付けバック・トウ・バックMOSFET接続による逆電流防止
2018年04月
  • パワーマネージメントIC
  • MOSFET
  • 入力電圧範囲: 2.7 ~ 28 V
  • オートディスチャージ機能内蔵
  • チャージポンプ回路内蔵
  • 突入電流抑制回路内蔵
  • 過電圧保護回路内蔵 ( 28 V 以上 )
  • 低電圧誤動作防止回路内蔵 ( 2.7 V 以下 )
  • 外付けバック・トゥ・バックMOSFET接続による逆電流防止
2018年04月
  • ダイオード
  • 小型パッケージ: 0.5mmピッチWCSP9(1.5 mm x 1.5 mm, t: 0.5 mm(標準))、PD=1.65 W
  • 高耐圧入力電圧: VIN (最大)= 28 V
  • 出力電流: IOUT (DC)= 3.0 A
  • 低オン抵抗 : RON = 73 mΩ(標準)at VIN = 4.5 V, IOUT = 1.0 A
  • 突入電流抑制(スルーレートコントロール)回路内蔵
  • 過電圧保護(OVLO)回路内蔵:6.6 V at 301G, 10.5 V at 302G, 15.5 V at 303G(標準)
  • 低電圧誤動作防止(UVLO)回路内蔵: 2.9 V(標準)
2018年04月
  • パワーマネージメントIC
  • コードレス電動工具
  • ワイヤレスチャージャー
  • スマートウォッチ
  • 電気シェーバー
  • ワイヤレスイヤホン
  • 無停電電源装置
  • ロボットクリーナー
  • アクションカメラ
  • 洗濯機
  • スマートプラグ
  • タブレットデバイス
  • LED照明
  • サーモスタット
  • 冷蔵庫
  • ソリッドステートドライブ
  • 電動歯ブラシ
  • 監視カメラ
  • IoTセンサー
  • 超小型パッケージ WCSP6F (0.8 mm x 1.2 mm; t 0.33 mm (最大))
  • 幅広い出力電圧に対応可能 (可変電圧タイプVOUT = 0.6 V ~ 3.6 V )
  • 負荷過渡応答  -100 / +115 mV (標準)@ 0.01 A⇔1.5 A, COUT = 4.7 μF
  • 高リップル圧縮度 R.R = 95 dB (標準) @1kHz
  • 過電流保護機能
  • 過熱保護機能
  • オートディスチャージ機能
  • 突入電流抑制機能(出力電圧ソフトスタート機能)
  • 低電圧誤動作防止機能(0.5V(標準)で動作)
2018年04月
  • ダイオード
  • 小型パッケージ: 0.5 mmピッチWCSP16C (1.9 mm x 1.9 mm, t: 0.5 mm(標準))、PD=1.65 W
  • 高耐圧入力電圧: VIN (最大)= 36 V
  • 出力電流: IOUT (DC) = 2.0 A(チャンネル毎)
  • 低オン抵抗 : RON = 98 mΩ (標準) at VIN = 4.5 V、 IOUT = 1.0 A
  • 過電圧保護(OVLO)回路内蔵:12 V at 321G、 15 V at 322G、323G (標準)
  • 低電圧誤動作防止(UVLO)回路内蔵: 2.9 V (標準)
  • 2つの入力から1つを自動選択制御するオートセレクションモード(321G/322G/323G)
  • 外部信号により出力を選択するマニュアルセレクションモード (321G/322G)
  • フラグ出力あり
  • オートセレクションモード時のフラグ動作:優先入力端子(321G/322G:VINA, 323G:VINB)が正常時Low出力
  • マニュアルセレクションモード時のフラグ動作:いずれかの入力端子に異常入力された時Low出力
  • 逆流防止回路(スイッチOFF)内蔵
  • 突入電流抑制回路内蔵
  • 過熱保護回路内蔵
2018年04月
  • MOSFET
  • インテリジェントパワーIC
  • 電子制御サスペンション
  • ISG (Integrated Starter Generator)
  • ブレーキ制御
  • オンボードチャージャー
  • V2X
  • TPD7104AFとパワーMOSFET TKR74F04PBを各2個使用した半導体リレー回路
  • 入力電圧:12V
  • 最大負荷電流:40A
  • 負荷ショート(過電流)検出機能
  • 電源逆接続保護機能
2018年04月
  • アイソレーター/ソリッドステートリレー(SSR)
  • 汎用インバーター/サーボ
  • IHクッキングヒーター
  • 光結合型アイソレーションアンプ
  • コモンモード過渡電圧:15kV/μs(最小)
  • 消費電力が少ない:入力供給電流8.6mA(標準)、出力供給電流6.2mA(標準)
2018年04月
  • アイソレーター/ソリッドステートリレー(SSR)
  • 汎用インバーター/サーボ
  • IHクッキングヒーター
  • 光結合型アイソレーションアンプ
  • コモンモード過渡電圧:15kV/μs(最小)
  • 消費電力が少ない:入力供給電流8.6mA(標準)、出力供給電流6.2mA(標準)
2018年04月
  • アイソレーター/ソリッドステートリレー(SSR)
  • 汎用インバーター/サーボ
  • IHクッキングヒーター
  • 光結合型アイソレーションアンプ
  • コモンモード過渡電圧:15kV/μs(最小)
  • 消費電力が少ない:入力供給電流8.6mA(標準)、出力供給電流6.2mA(標準)
  • 薄型パッケージ(SO8L)採用により、PCB裏面への実装が可能
2018年04月
  • アイソレーター/ソリッドステートリレー(SSR)
  • 汎用インバーター/サーボ
  • IHクッキングヒーター
  • 光結合型アイソレーションアンプ
  • コモンモード過渡電圧:15kV/μs(最小)
  • 消費電力が少ない:入力供給電流8.6mA(標準)、出力供給電流6.2mA(標準)
  • 薄型パッケージ(SO8L)採用により、PCB裏面への実装が可能
2018年04月
  • アイソレーター/ソリッドステートリレー(SSR)
  • MOSFET
  • ダイオード
  • エアコン
  • 高効率・高出力電源を1Uサイズで実現
  • 変換効率93%(Vin=230V,100%負荷)
  • 外形サイズ:307mm x 133mm x 43mm (基板下部の金属板、ヒートシンク天板含む)
  • 最適なパワー素子(MOSFET、SiCダイオード)、フォトカプラをトータルで提案
2017年10月

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