パワーマルチプレクサー回路 (コモンドレインMOSFET応用)

2入力1出力のパワーマルチプレクサー回路を小型基板に実現。開発済みのパワーマルチプレクサー回路リファレンスデザインに、コモンドレインMOSFET応用回路を追加いたしました。当社の多彩な製品ラインアップから、MOSFETゲートドライバーIC・ツェナーダイオードなど最適なデバイスを組み合わせ、BBMとMBBの切り替えを実現したリファレンス回路を提供致します。

これは、パワーマルチプレクサー回路の基板写真(例)です。
基板写真(例)
CUHZ24V CUHZ24V DSF01S30SL DSF01S30SL DSF01S30SL TCR1HF50B TCR1HF50B CUHZ12V CUHZ12V SSM3K15ACTC SSM3K15ACTC TCK424G TCK424G SSM3K15ACTC SSM10N961L SSM10N961L SSM10N961L SSM10N961L TCK421G TCK421G SSM3K72CTC SSM3K72CTC TC75S70L6X TC7WZ04FK TC75S70L6X TC7WZ04FK

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特長

  • 2 × 2 cmの小型基板搭載、2入力1出力のパワーマルチプレクサ回路
  • コモンドレインMOSFET (SSM10N961L) を活用
  • USBパワーデリバリー、急速充電、ワイヤレス給電など多彩な電源系統の切り替えに対応
  • MBB (Make-Before-Break), BBM (Break-Before-Make) 動作切り替え可能
  • 入力電圧は20 V系と9 V系を切り替え、出力電流は最大3 A

概要

回路 2入力1出力パワーマルチプレクサー
VINA入力 / VINB入力 9 V/20 V
出力電流 (最大値) 3 A
これは、パワーマルチプレクサー回路MUX6のMBB 動作波形(例)です。
MBB 動作波形(例)

デザインドキュメント

回路の動作概要、設計ポイントの解説など、設計者向けの資料を提供。各タブをクリックして、回路設計・検討にお役立てください。

デザインデータ

EDAツールに読み込んで使用する回路データ、PCBレイアウトデータ、PCB製造に使用するデータを提供。複数のツールベンダーの形式を用意しています。お使いのツールで自由に編集加工可能です。

※1:実際の基板はCR5000BDにて設計しています。 CR5000BDのデータを変換し他のツール用データを作成しています。

※2:CR5000BD上でデータ出力しています。

使用東芝製品

品番 製品 搭載部位・数量 特徴
ツェナーダイオード Module board 12 V Zener Diode, SOD-323HE(US2H)
ツェナーダイオード Module board 24 V Zener Diode, SOD-323HE(US2H)
小信号ショットキバリアダイオード Module board 30 V/0.1 A Schottky Barrier Diode, SOD-962(SL2)
小信号MOSFET Module board N-ch MOSFET, 30 V, 0.1 A, 3.6 Ω@4V, CST3C
小信号MOSFET Module board N-ch MOSFET, 60 V, 0.15 A, 3.9 Ω@10V, CST3C
パワーMOSFET (N-ch 2素子) Module board N-ch x 2 Common-drain MOSFET, 30 V, 14.0 A, 9.9 mΩ@10 V, TCSPAG-341501
コンパレータ (CMOS) Module board Single Comparator (CMOS), 5.5 V, +/-2.75 V, MP6C
L-MOS SHSシリーズ (TC74LCX相当) Module board One-Gate Logic(L-MOS), Inverter, SOT-765(US8)
ロードスイッチIC Module board 2.7 to 28 V External MOSFET Driver IC, WCSP6G
ロードスイッチIC Module board 2.7 to 28 V External MOSFET Driver IC, WCSP6G
低ドロップアウト(LDO)リニアボルテージレギュレータ Module board High voltage, Low quiescent current, Fast load transient CMOS Linear Regulator
パワーMOSFET (N-ch 1素子 30V<VDSS≤60V) Base board N-ch MOSFET, 40 V, 0.00085 Ω@10V, SOP Advance(N), U-MOSⅨ-H
ロードスイッチIC Base board 2.7 to 28 V External MOSFET Driver IC, WCSP6E
L-MOS SHSシリーズ (TC74LCX相当) Base board One-Gate Logic(L-MOS), Schmitt Buffer, SOT-363(US6)
CMOSロジックIC 74HCシリーズ Base board Dual Monostable Multivibrator, SOIC16
ポイントレギュレータ(シングル出力) Base board 200 mA Fixed Output LDO Regulator, 4.8 V, SOT-25(SMV)
抵抗内蔵型トランジスタ(BRT) Base board NPN Bias Resistor Built-in Transistors (BRT), 47 kΩ/47 kΩ, SOT-723(VESM)
抵抗内蔵型トランジスタ(BRT) Base board PNP Bias Resistor Built-in Transistors (BRT), 10 kΩ/10 kΩ, SOT-723(VESM)
スイッチングダイオード Base board 80 V/0.1 A Switching diode, SOD-523(ESC)

関連ドキュメント

搭載製品のアプリケーションノートなど、類似回路の設計・検討に役立つ資料を提供。各タブをクリックして活用ください。

関連リファレンスデザイン

アプリケーション

アクションカメラ
アクションカメラの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源・充電管理部、RF回路部、表示部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
タブレットデバイス
タブレットデバイスの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源管理部、各種センサー信号入力部、表示部、過熱監視部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
スマートウォッチ
スマートウオッチの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源・充電管理部、各種センサー信号入力部、表示部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。

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