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放熱器を取り付けた状態のとき、半導体素子から周囲までの熱抵抗( Rth(j-cf) + Rth(cf-a) )を用いて半導体素子の許容上昇接合温度を計算をします。
( Tj - Ta ) = ( Rth(j-cf) + Rth(cf-a) ) × P
半導体素子の接合温度が許容値内になるような熱抵抗の放熱器を選択します。
Rth(cf-a) = (( Tj - Ta ) / P ) - Rth(j-cf)
たとえば、Tj = 120 [℃] 、Ta = 50 [℃] 、 P = 10 [W] 、Rth(j-cf) = 0.5 [℃/W](半導体素子と放熱器の接触抵抗を無視する)とした場合、上の式からRth(cf-a) = 6.5 [℃/W] となります。
よって Rth(cf-a) 6.5 [℃/W] よりも小さい熱抵抗値の放熱器を使用すれば、条件を満たす放熱効果が見込めます。