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TVSダイオードはESD保護性能が高くても、基板設計を適切に行わないと、保護性能を十分に生かしきれません。特に、ESDが流入した瞬間の高周波パルスに大きな影響を及ぼします。
下図はESD源であるコネクターからの距離の違いによる波形になります。流入源であるコネクターに近く(被保護ICから遠く)配置した場合、10V近く印加直後の電圧(1st Peak Voltage)が減少していることがわかります。
TVSダイオードをESD侵入口(下記の場合、コネクタ)の近くに配置することが重要です。
基板設計に対しては以下の点に注意して設計ください。
1. できるだけコネクターの近くに配置(L1のパターンをできるだけ短くする)
2. 保護素子分岐後のL2とL3を短く
3. L2のパターン・L3のパターンにはVIAホール(スルーホール)を使用しない
4. ESD侵入口(コネクターなど)に接続されたESD対策のされたラインと対策されていないラインを並走させない。特にESD侵入口からESD保護素子が接続された部分までの間のラインの並走に注意が必要です。