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受信信号に対しては信号レベルの減衰を考慮すれば問題ないですが、送信信号はこれに加え信号が歪まないことが重要です。特に最近の16QAMや64QAM*など位相と振幅レベルも含めた変調方式*では高調波歪(HD)に対しても考慮する必要があります。
減衰は寄生容量によるLPFの帯域を考慮します。すなわち、保護素子の容量が低いことが必要です。理想的には信号周波数の最大値がカットオフ周波数の1/5程度であれば影響ありません。
高調波歪**に対しては振幅レベルに対するリニアリティーが必要です。一般的にアンテナ端でのRF信号はGNDを中心に振幅するため、保護デバイスは電圧に対しGNDを中心に対称なデバイス(双方向タイプ)を選択します。また、大振幅入力時に保護素子がオン(ブレークダウン)しない(=ピーク動作電圧(VRWM)が入力振幅レベルの最大値に対して大きい)ことが重要です。
更にESD保護ダイオードでは寄生のジャンクション容量があるため電圧依存性があります。容量変化の少なく低容量の製品が望ましいことになります。
まとめると、ESD保護ダイオードを選択するときには次の点に注意する必要があります。
図 3 I-Vカーブ
(片方向タイプと双方向タイプ)
図 4 端子間容量の電圧依存
(汎用容量タイプと低容量タイプ)