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MOSFET 電気的特性（動的特性）について Ciss/Crss/Coss
静電容量特性
MOSFET は、ゲートがシリコン酸化膜で絶縁されている構造であるため、ドレイン、ゲート、ソースの各端子間には、下図に示すような静電容量が存在します。
Ciss は入力容量、Crss は帰還容量、Coss は出力容量です。この容量は、MOSFET のスイッチング性能に影響を及ぼします。
データシート記載例
| 項目 | 記号 | 測定条件 | 最小 | 標準 | 最大 | 単位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 入力容量 | Ciss | VDS = 20 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | — | 7370 | 9600 | pF |
| 帰還容量 | Crss | — | 58 | — | ||
| 出力容量 | COSS | — | 1930 | — |
アプリケーションノート「電気的特性：パワーMOSFET アプリケーションノート」にも説明がありますので、ご参照ください。
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