MOSFET 電気的特性（動的特性）について　Ciss/Crss/Coss

MOSFET 電気的特性（動的特性）について　Ciss/Crss/Coss

静電容量特性

MOSFET は、ゲートがシリコン酸化膜で絶縁されている構造であるため、ドレイン、ゲート、ソースの各端子間には、下図に示すような静電容量が存在します。
Ciss は入力容量、Crss は帰還容量、Coss は出力容量です。この容量は、MOSFET のスイッチング性能に影響を及ぼします。

データシート記載例

項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
入力容量 Ciss VDS = 20 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz — 7370 9600 pF
帰還容量 Crss — 58 —
出力容量 COSS — 1930 —

アプリケーションノート「電気的特性：パワーMOSFET アプリケーションノート」にも説明がありますので、ご参照ください。

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