パワーMOSFETには大きなドライブ電流は必要ですか？

Power-on MOSFET generally do not require large drive-current. However, pay attention to the current drive capability,in the case of high-speed switching.

バイポーラートランジスターでは低オン電圧を保持するのに、大きなベース電流が必要です。しかし、MOSFET は電圧制御素子ですのでゲートに電荷をチャージするだけの小さな電力でドライブができます。 ただし、パワーMOSFET の入力容量 Ciss はやや大きいため、特に高速スイッチングの場合、低インピーダンスドライブ回路で入力容量を急速に充電する必要があります。

充電のために必要なゲート電流の目安としては、データシート上に規定しておりますQg特性からドライブ電流を簡易的に算出可能です。要求されるスイッチング時間をt(desired)(たとえばtonやtoff)とすると下式となります。
Ig=Qg/t(desired)

Fig. 1: Parasitic capacitance of MOSFET
Fig. 1: Parasitic capacitance of MOSFET
Fig. 2: Measuring circuit of the switching circuit
Fig. 2: Measuring circuit of the switching circuit

The application note "Electrical characteristics: Power MOSFET application note" has charge-capacitance characteristics. Please also refer to this.

SiC MOSFET / MOSFET / IGBT / バイポーラートランジスターのFAQページへ戻る

別ウインドウにて開きます