MOSFETの実装時の注意点は？

MOSFETを基板に実装する際には、下記の点に注意してください。

【表面実装製品】

1. 同一パッケージでも製品によって、フローやリフローの実装方法や実装温度が異なる場合があります。
2. フラックス洗浄や水洗浄を行う際には、ナトリウム・塩素などの反応性イオンの残留が無いように洗浄してください。無洗浄の場合にはフラックス等によりリード間の微小リークやマイグレーションを起こすことがあります。
3. 基板に防湿コーティングを行う際には、応力の小さい樹脂を選択してください。

【リード挿入製品】

1. 製品を放熱板にネジで取り付ける場合には、規定のトルク値以内で締め付けてください。
2. 製品を取り付ける放熱板の表面は平坦でバリや凹凸が無いようにしてください。
3. 放熱板との接触熱抵抗を低減させるためシリコーングリースを使用する場合には、不揮発性のシリコーングリースを使用してください。
4. シリコーングリースの種類によっては、ベースオイルが製品内部に浸入して寿命を悪化させる場合があります。
   製品の詳細な資料に関しては弊社営業窓口にお問い合わせください。

詳細については、下記Webを参照ください。

• 信頼性情報「取扱い上のご注意とお願い 3-5. 実装」

資料名：「熱設計と放熱器への取り付け：パワーMOSFET アプリケーションノート（PDF：1,329KB）」

• https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=13412

MOSFETを単体で評価・検査する際には、下記の点に注意してください。

【製品の検査・評価時】

1. 湿度は40～70%を目安としてください。
2. 作業者は帯電防止服と導電靴を着用した上で、リストストラップを着け、抵抗を介してアースしてください(着用した状態で、表面・アース間抵抗 7.5 × 10⁵ ～ 3.5 × 10⁷ Ω)。
3. 作業領域内に設置された装置・治具などはアースしてください。
4. 作業領域内の床は導電性マットなどでアースをしてください(表面・アース間抵抗 1 x 10⁹ Ω以下)。
5. 作業台の表面は導電性マットにてアースしてください(表面・アース間抵抗 7.5 x 10⁵ ～ 1 x 10⁹ Ω) 。
6. 自動化装置を使用する場合にはイオナイザーにより帯電防止をして、製品のバキュームには導電性ゴムを使用してください。

詳細については、下記資料を参照ください。

• 信頼性情報「取扱い上のご注意とお願い 3-1. 受け入れから出荷」