抵抗内蔵型トランジスター（BRT） h_FEについて

抵抗内蔵型トランジスター(BRT)は図に示すように、R₁とR₂の抵抗を内蔵したトランジスター*です。
BRTのh_FEの定義は一般のバイポーラートランジスターと定義が異なり、以下の式で表されます。

h_FE = I_C / I_B = I_C / ( I_b + I_R2 )　・・・（１）
I_R2 = V_be / R₂ = 0.7** / R₂　・・・（２）

一般的なトランジスター、またはR₁のみを内蔵したBRTの場合、I_B=I_bなのでh_FEは下式になります。

h_FE = I_C / I_b・・・（３）

（１）式の分母にはI_R2の項が含まれます。この点が一般のバイポーラートランジスターと異なる部分です。
①　式（2）に示すようにI_R2はR₂に反比例し、R₂の大きい製品ほどh_FEが高くなります。
②　分母のI_bはI_Cと比例しますが、I_R2はR₂にのみ依存する固定値です。このことから、コレクター電流の低い領域でR₂の影響が大きくなり、h_FEが低下します。
当然のことですが、R₂の無い製品・通常のバイポーラートランジスターではこの傾向は見られません。***