MOSFET、IGBT、バイポーラートランジスターなどにR_th(ch-a)、R_th(j-a)の表記が無い製品がありますが、何故ですか？

自立型パワーデバイスでは一般的に放熱板を取り付ける事が多い為、基本的にR_th(ch-c)、R_th(j-c)を提供するようにしております(一部適用外や併記のものもあります)。　放熱設計においては、チャネル(またはジャンクション)対周囲間よりもチャネル(またはジャンクション)対ケース間の熱抵抗値を使うことで、より正確な熱計算が可能になります。R_th(ch-c)、R_th(j-c)の記載がある場合は、こちらを用いて行って下さい。

計算方法に関して以下の資料に説明があります。参考にしてください。

• 熱設計と放熱器への取り付け：パワーMOSFET アプリケーションノート（PDF：1,329KB）