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バイポーラートランジスターのベース、ベース・エミッターに抵抗を付加したトランジスターです。抵抗内蔵によりバイアス用抵抗など外付け部品が少なく回路構成が容易になります。主な用途はスイッチング用です。
より詳細な資料がございますので、こちらも参照ください。
資料名:抵抗内蔵型トランジスター(BRT) SMD 使用上の注意点
また最近では高速なスイッチング特性・消費電流・オン電圧・ドライブ電圧の低さなどの理由により、抵抗内蔵トランジスターの代わりにMOSFETを使用する傾向があります。下記資料に比較データがございますので、参照ください。
資料名:小型面実装 MOSFET 使用上の注意点