IGBTオフ時のサージ電圧の対策はどのようにしたら良いですか?

図(a)にIGBTの使用回路例を示します。サージ電圧は負荷に電流が流れている状態からIGBTをオフする時に発生します。これはオフ時のIGBT電流の変化 - di_C/dt とパッケージや配線の浮遊インダクタンスL_Sによるものです。このとき、IGBTに瞬間的に V_CEP = L_S・di_C/dt＋V_CC が印加されます。IGBTはブレークダウン電圧以上の電圧が印加されると破壊に至ります。対策としては主電流経路に含まれる浮遊インダクタンスL_Sの削減が第一ですので、配線を太く、短くすることでインダクタンスを低減することが必要です。インダクタンスの低減が難しい場合、IGBTの外部直列ゲート抵抗値を大きくしてスイッチングスピードを遅くする方法もありますが、この場合はスイッチング損失が増えますので注意が必要です。また、IGBTのコレクター・エミッター間にスナバー回路を挿入することでも低減できますが、スナバー回路による充放電損失が発生し、回路損失が増加します。