IGBTを駆動させるときに、ゲート電圧は何Vを印加すれば良いですか?

IGBTのゲートをドライブする電圧V_GEは、データシートのV_CE(sat)やスイッチング特性の測定条件に記載されていますV_GEの条件（下記表参照）もしくはこれに近い条件を検討してください。ゲート電圧V_GEを大きくすると絶対最大定格とのマージンが減少することになりますし、反対に小さくすると下図の通りV_CE(sat)は大きくなり導通損失の増加を招きます。低すぎるとIGBTドライブ不足によるシステムの動作そのものに支障をきたす可能性もあります。ストロボ用他の特殊用途向けのIGBTを除き、一般的にはV_GE=15 V もしくはこれに近い電圧を推奨しています。

また、ゲートバイアス用電源の電圧とドライブ時のIGBTのゲート・エミッター間電圧に差が発生する場合は、IGBTのゲート・エミッター間電圧が前述しました値になるように設計して下さい。

(注：一般的には、IGBTオフ時のゲート・エミッター間電圧は、零ボルトに設定されることが多くなっていますが、IGBTのスイッチング時の動作安定を目的として、ゲート電圧V_GEを逆バイアスに設計する場合があります。）

静的特性(特に指定のない限り、T_a=25℃)

 動的特性(特に指定のない限り、T_a=25℃)