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トライアックカプラーは半導体素子なので、OFF時でもリーク電流IDRMが発生し、特に高温で大きくなります。これが後段の素子や負荷などに対し誤動作を生じさせることが無いか確認が必要です。また、最大定格値以下の電圧であっても急激な立ち上がりの電圧(dV/dt)が加わると誤動作が起こることもあり注意が必要です。
当社アプリケーションノート「トライアックカプラーの基本特性と応用設計」10.7項から10.9項 も参照ください。