Asia-Pacific
English
简体中文
繁體中文
한국어
日本語
Americas
English
Europe (EMEA)
English



品番検索

クロスリファレンス検索

クロスリファレンス検索で表示される情報について

クロスリファレンスでは参考品名が表示されますので、製品に関する最新の情報をデータシート等でご確認の上、単独およびシステム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。
参考にしている情報は、取得した時点の各メーカーの公式情報に基づいた当社の推定によるものです。
当社は、情報の正確性、完全性に関して一切の保証をいたしません。また、情報は予告なく変更されることがあります。

キーワード検索

パラメトリック検索

オンラインディストリビューター在庫検索

オンラインディストリビューターが保有する東芝製品の在庫照会および購入が行えるサービスです。

性能と使いやすさを両立したGaNパワーデバイス

電力損失の削減や小型化が求められる機器の応用に最適

脱炭素社会実現へ向け省エネルギーが注目されている一方で電力需要は増加していることから、電力損失が少なく小型の電力変換システムのニーズが急速に高まっており、Siパワーデバイスの性能向上のみならず化合物パワーデバイスの導入が進められています。当社はSiパワーデバイスの製品ラインアップ拡大と生産設備の増強を進めており、化合物半導体においてはSiC(炭化ケイ素)パワーデバイスを製品化しています。さらにGaN(窒化ガリウム)パワーデバイスの開発を進めています。
よりお客様が使いやすく、高性能なGaNパワーデバイスを提供することで、お客様の機器の電力損失の低減や小型化に貢献します。

パワーデバイスの適用範囲

現在、パワーデバイスには主にSiが適用され、熱特性に優れたSiCはハイパワー領域での高効率・高出力化が求められる機器へ適用されています。高周波特性に優れたGaNは~kWクラスでの高効率・小型化が求められる機器への応用が期待されます。

パワーデバイスの適用範囲

GaNパワーデバイスの優位性

GaNは臨界電界強度、電子移動度が高い半導体材料であり、高速スイッチングや低オン抵抗特性の実現が可能です。
これにより、機器の低損失化や高出力化、高周波スイッチングや冷却ユニット削減による小型化に貢献します。

GaNパワーデバイスの優位性

東芝GaNパワーデバイスの特長

ゲート制御性を改善
当社独自のノーマリオンデバイスとカスコード構成により、
スイッチング時の電圧変化のゲート抵抗による制御性を改善
(一般的なカスコード構成では制御が難しい)

 

使いやすさと性能を両立する基板設計
当社独自の周辺回路と最適な基板設計をご提案
定格電圧 VDSS : 650V
オン抵抗 RDS(ON) : 54mΩ (標準)
パッケージ : QFN9x9 (9mm×9mm)

耐ノイズ性を向上
当社独自ノーマリオンデバイス採用により
高いしきい値電圧を確保し、誤動作が発生しにくい
(一般的な現行JFET型ノーマリオフの場合、しきい値電圧はおよそ1.2V)

高い変換効率を実現
テストサンプルのトーテムポールPFC評価において、ピーク効率99.4%を達成 (~2.5kW)

関連情報