PCIe® Gen 5.0、USB4® の高速デジタル信号に対応したバススイッチ
当社のバススイッチ製品はバスラインの高速切り替え、切り離しに最適なスイッチです。
新製品「TDS4A212MX、TDS4B212MX」は、当社独自のSOIプロセス (TarfSOI™) を採用し、業界トップクラス [注1] の高い周波数特性 (-3dB バンド幅27.5GHz (typ.) [注2]) を実現しました。これにより、PCIe® 5.0やUSB4® Ver.2、USB4®などの高速差動信号インターフェース [注3] のMux/De-Muxスイッチとして使用できます。
TDS4B212MXとTDS4A212MXは、ピン配置が異なります。TDS4B212MXは、高周波特性に対し最適化したピン配置としました。TDS4A212MXは、基板レイアウトを考慮したピン配置としています。
[注1] 2:1 Mux/1:2 De-Muxスイッチとして、2024年7月時点。当社調べ。
[注2] TDS4B212MXの場合。TDS4A212MXは26.2GHz (typ.)。
[注3] PCIe® Gen 5.0・PCIe® Gen 4.0・USB4® Ver.2.0・USB4®・Thunderbolt ™4・DP 2.0 等
PCIe® Gen 5.0/CXL 2.0 応用例: マルチプレクサー/デマルチプレクサー
TDS4A212MXやTDS4B212MXはPCマザーボードやサーバーに搭載されているPCIe® Gen 5.0信号ラインのマルチプレクサーやデマルチプレクサーにお勧めです。
マザーボード PCIe® Gen 5.0×16 スロット信号切替部分への使用例
PCIe® スロット仕様: 2×PCIe®×16スロット のサポート可能
(スロット1×16 または スロット1×8/スロット2×8 モード)
-3dB バンド幅が26GHz以上の良好な周波数特性
当社の高速バススイッチは周波数特性 (-3dB バンド幅) が27.5GHzと広いのが特長です。
高速通信で使用する際の信号減衰が少ないため、高品質の設計が容易になります。
| 電気的特性 (Typ.) | TDS4B212MX | TDS4A212MX | |
|---|---|---|---|
| -3dB バンド幅 | 27.5GHz | 26.2GHz | |
| 差動挿入損失 [dB] |
5.0GHz | -0.8 | -0.9 |
| 8.0GHz | -0.9 | -1.0 | |
| 10.0GHz | -0.9 | -1.1 | |
| 12.8GHz | -1.2 | -1.4 | |
| 16.0GHz | -1.4 | -1.9 | |
TDS4B212MX PCIe® Gen 5.0、USB4® Ver.2 アイパターン
＜32Gbps (NRZ)、40Gbps (PAM3) アイパターン試験結果＞
※NRZ、PAM3はそれぞれデジタル信号の伝送する方式。(NRZ: Non Return Zero、PAM: Pulse Amplitude Modulation)
当社評価ボード
評価結果 (アイパターン)
※評価結果および評価結果の詳細な見方は、以下のアプリケーションノートを参照ください。
アプリケーションノート（PDF：2.15MB）
32Gbps (PCIe® Gen 5.0 ナイキスト周波数: 16GHz、NRZ)
| ボード | Height ［mV］ |
差分Δ Height ［mV］ |
Tj ［ps］ |
差分 ΔTj ［ps］ |
|---|---|---|---|---|
| パススルー基板 (TDS4B212MX非搭載) | 826 | ― | 3.65 | ― |
| TDS4B212MX搭載基板 | 678 | -148 | 3.83 | 0.18 |
40Gbps (USB4® Ver.2 ナイキスト周波数: 12.8GHz、PAM3)
| ボード | Height ［mV］ |
Δ Height ［mV］ |
Tj ［ps］ |
ΔTj ［ps］ |
|
|---|---|---|---|---|---|
| パススルー基板 (TDS4B212MX非搭載) | Hi | 406 | ― | 14.49 | ― |
| Lo | 404 | ― | 14.24 | ― | |
| TDS4B212MX搭載基板 | Hi | 380 | -26 | 17.37 | 2.88 |
| Lo | 376 | -28 | 17.10 | 2.86 | |
32Gbps/Lane 2:1 マルチプレクサー/デマルチプレクサー (品番: TDS4A212MX、TDS4B212MX)
概要：SOIプロセスを用いた高性能差動信号向け高速バススイッチ
TDS4B212MX 特長 (Typ.)
- 動作電源電圧: 1.6～3.6V
- -3dB バンド幅: 27.5GHz
- 低挿入損失: -1.4dB @f=16GHz
- 低反射損失: -16dB @f=16GHz
- 低差動オフ・アイソレーション: -14dB @f=16GHz
- クロストーク: -36dB @f=16GHz
- 低出力スキュー (ビット間) : 4ps
- 低出力スキュー (チャネル間) : 2ps
- 低オン抵抗: 7.9Ω Max @VIS=0V
- ESD HBM (人体モデル) : 2,000V
- 小型パッケージ: XQFN16 1.6x2.4×0.4mm
ピン配置 (TOP VIEW)
パッケージ外形図 (XQFN16)
製品ページへのリンク：TDS4A212MX、TDS4B212MX
バススイッチ
* PCIe®は、PCI-SIGの登録商標です。
* USB4®は、USB Implementers Forumの登録商標です。
* Thunderboltは、Intel Corporationあるいはその子会社の商標です。
* TarfSOI™は、東芝デバイス＆ストレージ株式会社の商標です。
* その他の社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。