TPCF8B01

生産終了予定

パワーMOSFET (P-ch 1素子)

データシート

TPCF8B01 データシート/日本語[2010年02月]PDF: 401KB

データシート

TPCF8B01 データシート/英語[2009年09月]PDF: 330KB

アプリケーションノート

簡易CFDモデルアプリケーションノート[2022年11月]PDF: 1433KB

アプリケーションノート

バイポーラトランジスタアプリケーションノート:熱安定度と放熱設計[2021年03月]PDF: 659KB

アプリケーションノート

バイポーラトランジスタアプリケーションノート:最大定格[2021年03月]PDF: 743KB

アプリケーションノート

バイポーラトランジスタアプリケーションノート:特性と等価回路[2021年01月]PDF: 697KB

アプリケーションノート

バイポーラトランジスタアプリケーションノート:最大定格と電気的特性の用語集[2021年01月]PDF: 691KB

カタログ

セレクションガイド MOSFETs 2025 Rev1.0[2025年02月]PDF: 3497KB

カタログ

ミニカタログ　車載、産業向け東芝MOSFETのご紹介[2024年04月]PDF: 1015KB

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TPCF8B01 データシート/日本語[2010年02月]PDF: 401KB

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TPCF8B01 データシート/英語[2009年09月]PDF: 330KB

アプリケーションノート

簡易CFDモデルアプリケーションノート[2022年11月]PDF: 1433KB

アプリケーションノート

バイポーラトランジスタアプリケーションノート:熱安定度と放熱設計[2021年03月]PDF: 659KB

アプリケーションノート

バイポーラトランジスタアプリケーションノート:最大定格[2021年03月]PDF: 743KB

アプリケーションノート

バイポーラトランジスタアプリケーションノート:特性と等価回路[2021年01月]PDF: 697KB

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バイポーラトランジスタアプリケーションノート:最大定格と電気的特性の用語集[2021年01月]PDF: 691KB

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セレクションガイド MOSFETs 2025 Rev1.0[2025年02月]PDF: 3497KB

カタログ

ミニカタログ　車載、産業向け東芝MOSFETのご紹介[2024年04月]PDF: 1015KB

製品概要

用途 携帯機器用 / ノートPC用
極性 P-ch + SBD
世代 U-MOSⅢ
RoHS Compatible Product(s) (#) お問合せください

パッケージ

東芝パッケージ名 VS-8
ピン数 8
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)		 2.9×1.9×0.8
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示

絶対最大定格

項目 記号 値 単位
ドレイン-ソース間電圧 VDSS -20 V
ドレイン電流 ID -2.7 A

電気的特性

項目 記号 測定条件 値 単位
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=4.5V 110 mΩ
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=2.5V 160 mΩ
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=1.8V 300 mΩ

ドキュメント

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