TPCF8B01

生産終了予定

パワーMOSFET (P-ch 1素子)

製品概要

用途 携帯機器用 / ノートPC用
極性 P-ch + SBD
世代 U-MOSⅢ
RoHS Compatible Product(s) (#) お問合せください

パッケージ

東芝パッケージ名 VS-8
ピン数 8
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)
2.9×1.9×0.8
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

絶対最大定格

項目 記号 単位
ドレイン-ソース間電圧 VDSS -20 V
ドレイン電流 ID -2.7 A

電気的特性

項目 記号 測定条件 単位
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=4.5V 110
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=2.5V 160
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=1.8V 300

ドキュメント

  • チェックボックスが無効化されているドキュメントは、一括ダウンロードの対象外です。

技術的なお問い合わせ

お問い合わせ

お問い合わせ

よくあるお問い合わせ

FAQ

ご注意

リストへ戻る
別ウインドウにて開きます